Анизотропия крипа вихрей в монокристалле YBa₂Cu₃O₇₋x с однонаправленными границами двойников
Крип вихрей при температурах 82-87 К в монокристалле, содержащем однонаправленные границы двойников (ГД), исследован в специальной геометрии эксперимента: J||ab, J|| ГД, H^J, α ≡ ∠H, ab - варьируемый параметр. Показано, что в слабых магнитных полях ГД изменяют конфигурационную структуру вихревых нит...
Збережено в:
Видавець: | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
---|---|
Дата: | 2001 |
Автори: | , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2001
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130000 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Анизотропия крипа вихрей в монокристалле YBa₂Cu₃O₇₋x с однонаправленными границами двойников / А.В. Бондаренко, М.Г. Ревякина, А.А. Продан, М.А. Оболенский, Р.В. Вовк, Т.Р. Ароури // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 3. — С. 275-293. — Бібліогр.: 36 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Крип вихрей при температурах 82-87 К в монокристалле, содержащем однонаправленные границы двойников (ГД), исследован в специальной геометрии эксперимента: J||ab, J|| ГД, H^J, α ≡ ∠H, ab - варьируемый параметр. Показано, что в слабых магнитных полях ГД изменяют конфигурационную структуру вихревых нитей при углах разориентации q между вектором магнитного поля H и плоскостями ГД вплоть до 70° : при углах θ< < 70° часть вихревой нити оказывается захваченной плоскостями ГД. Показано, что границы двойников являются эффективными центрами пиннинга при движении вихрей перпендикулярно плоскости ГД, поэтому в слабых магнитных полях при углах θ< < 70° реализуется направленное движение вихрей вдоль плоскостей ГД. Определена угловая зависимость энергии активации при пластическом механизме крипа, которая согласуется с проведенными теоретическими оценками. При ориентации вектора H в окрестности ab-плоскости кристалла максимум на угловой зависимости измеряемого "критического" тока JcE (α) , наблюдаемый в слабых магнитных полях при ориентации вектора поля H||ab, сменяется минимумом при увеличении магнитного поля, который объясняется заменой крипа невзаимодействующих вихрей коллективным крипом при увеличении магнитного поля. |
---|