Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots
As found, within the band gap of the quantum dot of zinc selenide, a zone of exciton states located at the bottom of the conduction band appears. As shown, a decrease in the band gap width for this nanosystem is conditioned by transition of the electron from quantum-dimensional level within the vale...
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2017
|
Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130030 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Pokutnyi S.I., Gorbyk P.P., Makhno S.M., Prokopenko S.L., Mazurenko R.V. / S.I. Pokutnyi, P.P. Gorbyk, S.M. Makhno, S.L. Prokopenko, R.V. Mazurenko // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 1. — С. 37-46. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-130030 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-1300302018-02-05T03:02:47Z Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots Pokutnyi, S.I. Gorbyk, P.P. Makhno, S.M. Prokopenko, S.L. Mazurenko, R.V. As found, within the band gap of the quantum dot of zinc selenide, a zone of exciton states located at the bottom of the conduction band appears. As shown, a decrease in the band gap width for this nanosystem is conditioned by transition of the electron from quantum-dimensional level within the valence band of the quantum dot to the levels of the zone of exciton states. The dependence of the energy of a ground state of an exciton on the radius of quantum dot is obtained using a modified method of the effective mass. Было установлено, что в пределах ширины запрещённой зоны квантовой точки из селенида цинка появляется зона экситонных состояний, расположенная в нижней части зоны проводимости. Было показано, что уменьшение ширины запрещённой зоны этой наносистемы обусловлено переходом электрона из квантово-размерного уровня в валентной зоне квантовой точки к уровням зоны экситонных состояний. Зависимость энергии основного состояния экситона от радиуса квантовой точки была получена с использованием модифицированного метода эффективной массы. Було встановлено, що в межах ширини забороненої зони квантової точки з селеніду цинку з'являється зона екситонних станів, розташована в нижній частині зони провідности. Було показано, що зменшення ширини забороненої зони цієї наносистеми зумовлене переходом електрона з квантово-розмірного рівня у валентній зоні квантової точки до рівнів зони екситонних станів. Залежність енергії основного стану екситона від радіюса квантової точки було одержано з використанням модифікованої методи ефективної маси. 2017 Article Pokutnyi S.I., Gorbyk P.P., Makhno S.M., Prokopenko S.L., Mazurenko R.V. / S.I. Pokutnyi, P.P. Gorbyk, S.M. Makhno, S.L. Prokopenko, R.V. Mazurenko // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 1. — С. 37-46. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. 1816-5230 PACS: 71.35.-y, 73.20.Mf, 73.21.La, 73.22.Lp, 78.67.Hc, 81.07.Ta http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130030 en Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
English |
description |
As found, within the band gap of the quantum dot of zinc selenide, a zone of exciton states located at the bottom of the conduction band appears. As shown, a decrease in the band gap width for this nanosystem is conditioned by transition of the electron from quantum-dimensional level within the valence band of the quantum dot to the levels of the zone of exciton states. The dependence of the energy of a ground state of an exciton on the radius of quantum dot is obtained using a modified method of the effective mass. |
format |
Article |
author |
Pokutnyi, S.I. Gorbyk, P.P. Makhno, S.M. Prokopenko, S.L. Mazurenko, R.V. |
spellingShingle |
Pokutnyi, S.I. Gorbyk, P.P. Makhno, S.M. Prokopenko, S.L. Mazurenko, R.V. Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
author_facet |
Pokutnyi, S.I. Gorbyk, P.P. Makhno, S.M. Prokopenko, S.L. Mazurenko, R.V. |
author_sort |
Pokutnyi, S.I. |
title |
Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots |
title_short |
Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots |
title_full |
Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots |
title_fullStr |
Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots |
title_full_unstemmed |
Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots |
title_sort |
excitons in nanosystems consisting of semiconductor quantum dots |
publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
publishDate |
2017 |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130030 |
citation_txt |
Pokutnyi S.I., Gorbyk P.P., Makhno S.M., Prokopenko S.L., Mazurenko R.V. / S.I. Pokutnyi, P.P. Gorbyk, S.M. Makhno, S.L. Prokopenko, R.V. Mazurenko // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 1. — С. 37-46. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
series |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
work_keys_str_mv |
AT pokutnyisi excitonsinnanosystemsconsistingofsemiconductorquantumdots AT gorbykpp excitonsinnanosystemsconsistingofsemiconductorquantumdots AT makhnosm excitonsinnanosystemsconsistingofsemiconductorquantumdots AT prokopenkosl excitonsinnanosystemsconsistingofsemiconductorquantumdots AT mazurenkorv excitonsinnanosystemsconsistingofsemiconductorquantumdots |
first_indexed |
2023-10-18T20:59:12Z |
last_indexed |
2023-10-18T20:59:12Z |
_version_ |
1796151626044538880 |