Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots

As found, within the band gap of the quantum dot of zinc selenide, a zone of exciton states located at the bottom of the conduction band appears. As shown, a decrease in the band gap width for this nanosystem is conditioned by transition of the electron from quantum-dimensional level within the vale...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2017
Автори: Pokutnyi, S.I., Gorbyk, P.P., Makhno, S.M., Prokopenko, S.L., Mazurenko, R.V.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2017
Назва видання:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130030
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Pokutnyi S.I., Gorbyk P.P., Makhno S.M., Prokopenko S.L., Mazurenko R.V. / S.I. Pokutnyi, P.P. Gorbyk, S.M. Makhno, S.L. Prokopenko, R.V. Mazurenko // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 1. — С. 37-46. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-130030
record_format dspace
spelling irk-123456789-1300302018-02-05T03:02:47Z Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots Pokutnyi, S.I. Gorbyk, P.P. Makhno, S.M. Prokopenko, S.L. Mazurenko, R.V. As found, within the band gap of the quantum dot of zinc selenide, a zone of exciton states located at the bottom of the conduction band appears. As shown, a decrease in the band gap width for this nanosystem is conditioned by transition of the electron from quantum-dimensional level within the valence band of the quantum dot to the levels of the zone of exciton states. The dependence of the energy of a ground state of an exciton on the radius of quantum dot is obtained using a modified method of the effective mass. Было установлено, что в пределах ширины запрещённой зоны квантовой точки из селенида цинка появляется зона экситонных состояний, расположенная в нижней части зоны проводимости. Было показано, что уменьшение ширины запрещённой зоны этой наносистемы обусловлено переходом электрона из квантово-размерного уровня в валентной зоне квантовой точки к уровням зоны экситонных состояний. Зависимость энергии основного состояния экситона от радиуса квантовой точки была получена с использованием модифицированного метода эффективной массы. Було встановлено, що в межах ширини забороненої зони квантової точки з селеніду цинку з'являється зона екситонних станів, розташована в нижній частині зони провідности. Було показано, що зменшення ширини забороненої зони цієї наносистеми зумовлене переходом електрона з квантово-розмірного рівня у валентній зоні квантової точки до рівнів зони екситонних станів. Залежність енергії основного стану екситона від радіюса квантової точки було одержано з використанням модифікованої методи ефективної маси. 2017 Article Pokutnyi S.I., Gorbyk P.P., Makhno S.M., Prokopenko S.L., Mazurenko R.V. / S.I. Pokutnyi, P.P. Gorbyk, S.M. Makhno, S.L. Prokopenko, R.V. Mazurenko // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 1. — С. 37-46. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. 1816-5230 PACS: 71.35.-y, 73.20.Mf, 73.21.La, 73.22.Lp, 78.67.Hc, 81.07.Ta http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130030 en Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language English
description As found, within the band gap of the quantum dot of zinc selenide, a zone of exciton states located at the bottom of the conduction band appears. As shown, a decrease in the band gap width for this nanosystem is conditioned by transition of the electron from quantum-dimensional level within the valence band of the quantum dot to the levels of the zone of exciton states. The dependence of the energy of a ground state of an exciton on the radius of quantum dot is obtained using a modified method of the effective mass.
format Article
author Pokutnyi, S.I.
Gorbyk, P.P.
Makhno, S.M.
Prokopenko, S.L.
Mazurenko, R.V.
spellingShingle Pokutnyi, S.I.
Gorbyk, P.P.
Makhno, S.M.
Prokopenko, S.L.
Mazurenko, R.V.
Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
author_facet Pokutnyi, S.I.
Gorbyk, P.P.
Makhno, S.M.
Prokopenko, S.L.
Mazurenko, R.V.
author_sort Pokutnyi, S.I.
title Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots
title_short Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots
title_full Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots
title_fullStr Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots
title_full_unstemmed Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots
title_sort excitons in nanosystems consisting of semiconductor quantum dots
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
publishDate 2017
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130030
citation_txt Pokutnyi S.I., Gorbyk P.P., Makhno S.M., Prokopenko S.L., Mazurenko R.V. / S.I. Pokutnyi, P.P. Gorbyk, S.M. Makhno, S.L. Prokopenko, R.V. Mazurenko // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 1. — С. 37-46. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.
series Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
work_keys_str_mv AT pokutnyisi excitonsinnanosystemsconsistingofsemiconductorquantumdots
AT gorbykpp excitonsinnanosystemsconsistingofsemiconductorquantumdots
AT makhnosm excitonsinnanosystemsconsistingofsemiconductorquantumdots
AT prokopenkosl excitonsinnanosystemsconsistingofsemiconductorquantumdots
AT mazurenkorv excitonsinnanosystemsconsistingofsemiconductorquantumdots
first_indexed 2023-10-18T20:59:12Z
last_indexed 2023-10-18T20:59:12Z
_version_ 1796151626044538880