2025-02-23T14:15:17-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-130032%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T14:15:17-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-130032%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T14:15:17-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T14:15:17-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃>
В даній роботі було створено нанокомпозит — шаруватий кристалсеґнетоелектрик. В якості йонної солі використовувався нітрат рубідію. Нітрат рубідію має найвищу йонну провідність серед нітратів. Тому, використовуючи цей матеріял з відносно невисокою температурою топлення, можна виготовити нанокомпозит...
Saved in:
| Main Authors: | , , , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2017
|
| Series: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130032 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| id |
irk-123456789-130032 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1300322018-02-05T03:02:49Z Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃> Бахтінов, А.П. Водоп’янов, В.М. Ковалюк, З.Д. Нетяга, В.В. Ткачук, І.Г. В даній роботі було створено нанокомпозит — шаруватий кристалсеґнетоелектрик. В якості йонної солі використовувався нітрат рубідію. Нітрат рубідію має найвищу йонну провідність серед нітратів. Тому, використовуючи цей матеріял з відносно невисокою температурою топлення, можна виготовити нанокомпозитні матеріяли при різних температурах і, досліджуючи їхні електричні властивості, встановити внесок йонної провідности нанорозмірних включень із вертикальними розмірами порядку ширини Ван-дер-Ваальсової щілини у загальну провідність структури. Дослідження морфології поверхні зразків нанокомпозитних матеріялів здійснювалося за допомогою атомного силового мікроскопа (АСМ) Nanoscope III a DimensionTM 3000 (Digital Instruments). В данной работе был создано нанокомпозит — слоистый кристалл-сегнетоэлектрик. В качестве ионной соли использовался нитрат рубидия. Нитрат рубидия имеет самую высокую ионную проводимость среди нитратов. Поэтому, используя этот материал с относительно невысокой температурой плавления, можно изготовить нанокомпозитные материалы при различных температурах и, исследуя их электрические свойства, установить вклад ионной проводимости наноразмерных включений с вертикальными размерами порядка ширины Ван-дер-Ваальсовой щели в общую проводимость структуры. Исследование морфологии поверхности образцов нанокомпозитных материалов осуществлялось с помощью атомного силового микроскопа (АСМ) Nanoscope III a DimensionTM 3000 (Digital Instruments). In this work, a new nanocomposite—layered ferroelectric crystal is fabricated. As ionic salt, rubidium nitrate is used. Rubidium nitrate has the highest ionic conductivity of nitrates. Therefore, using this material with a relatively low melting point, nanocomposite materials can be fabricated at various temperatures and, examining their electrical properties, it is possible to determine the contribution of ionic conductivity of nanoscale particles with vertical dimensions of the order of Van der Waals gap width in the overall conductivity of a structure. Study of the surface morphology of nanocomposite-materials’ samples is carried out using an atomic force microscope (AFM) Nanoscope III a DimensionTM 3000 (Digital Instruments). 2017 Article Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃> / А.П. Бахтінов, В.М. Водоп’янов, З.Д. Ковалюк, В.В. Нетяга, І.Г. Ткачук // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 1. — С. 83-90. — Бібліогр.: 4 назв. — укр. 1816-5230 PACS: 62.23.Pq, 68.35.Ct, 68.37.Ps, 71.20.Tx, 77.84.Lf, 81.16.Be http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130032 uk Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| description |
В даній роботі було створено нанокомпозит — шаруватий кристалсеґнетоелектрик. В якості йонної солі використовувався нітрат рубідію. Нітрат рубідію має найвищу йонну провідність серед нітратів. Тому, використовуючи цей матеріял з відносно невисокою температурою топлення, можна виготовити нанокомпозитні матеріяли при різних температурах і, досліджуючи їхні електричні властивості, встановити внесок йонної провідности нанорозмірних включень із вертикальними розмірами порядку ширини Ван-дер-Ваальсової щілини у загальну провідність структури. Дослідження морфології поверхні зразків нанокомпозитних матеріялів здійснювалося за допомогою атомного силового мікроскопа (АСМ) Nanoscope III a DimensionTM 3000 (Digital Instruments). |
| format |
Article |
| author |
Бахтінов, А.П. Водоп’янов, В.М. Ковалюк, З.Д. Нетяга, В.В. Ткачук, І.Г. |
| spellingShingle |
Бахтінов, А.П. Водоп’янов, В.М. Ковалюк, З.Д. Нетяга, В.В. Ткачук, І.Г. Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃> Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| author_facet |
Бахтінов, А.П. Водоп’янов, В.М. Ковалюк, З.Д. Нетяга, В.В. Ткачук, І.Г. |
| author_sort |
Бахтінов, А.П. |
| title |
Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃> |
| title_short |
Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃> |
| title_full |
Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃> |
| title_fullStr |
Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃> |
| title_full_unstemmed |
Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃> |
| title_sort |
нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-inse<rbno₃> та p-gase<rbno₃> |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| publishDate |
2017 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130032 |
| citation_txt |
Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃> / А.П. Бахтінов, В.М. Водоп’янов, З.Д. Ковалюк, В.В. Нетяга, І.Г. Ткачук // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 1. — С. 83-90. — Бібліогр.: 4 назв. — укр. |
| series |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| work_keys_str_mv |
AT bahtínovap novínanokompozitnísegnetoelektričnímateríališaruvatíkristalininserbno3tapgaserbno3 AT vodopânovvm novínanokompozitnísegnetoelektričnímateríališaruvatíkristalininserbno3tapgaserbno3 AT kovalûkzd novínanokompozitnísegnetoelektričnímateríališaruvatíkristalininserbno3tapgaserbno3 AT netâgavv novínanokompozitnísegnetoelektričnímateríališaruvatíkristalininserbno3tapgaserbno3 AT tkačukíg novínanokompozitnísegnetoelektričnímateríališaruvatíkristalininserbno3tapgaserbno3 |
| first_indexed |
2023-10-18T20:59:12Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:59:12Z |
| _version_ |
1796151626257399808 |