Аномальный перенос заряда в квазиодномерной электронной системе над жидким гелием
Измерена проводимость σ в квазиодномерной электронной системе над жидким гелием в интервале температур 0,5-1,7 К в широкой области плотностей электронов n. Показано, что величина σ/ne (е - заряд электрона) вначале увеличивается с понижением температуры, а затем, пройдя максимум, при T ≈ 1 К начинает...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2003
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130042 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Аномальный перенос заряда в квазиодномерной электронной системе над жидким гелием / С.П. Гладченко, Ю.З. Ковдря, В.А. Николаенко // Физика низких температур. — 2003. — Т. 29, № 11. — С. 1256-1268. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Измерена проводимость σ в квазиодномерной электронной системе над жидким гелием в интервале температур 0,5-1,7 К в широкой области плотностей электронов n. Показано, что величина σ/ne (е - заряд электрона) вначале увеличивается с понижением температуры, а затем, пройдя максимум, при T ≈ 1 К начинает понижаться. В этой области температур величина s/ne, начиная с некоторого значения дрейфового потенциала Vd, уменьшается с ростом Vd. Сделано предположение, что обнаруженный в работе аномальный перенос заряда обусловлен либо пространственным упорядочением электронов в квазиодномерных каналах, либо образованием многоэлектронных поляронов в неоднородном потенциале вдоль каналов. |
|---|