Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃

Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃

Исследована радиационная стойкость пленок нанокристаллического карбида кремния nc-SiC на подложке из монокристалла сапфира в условиях облучения высокоэнергетическими (10 МэВ) электронами в диапазоне флюенса 5∙10¹⁴—2∙10²⁰ см⁻². Установлено, что радиационные изменения в пленках nc-SiC в первую очередь...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2017
Автори: Семенов, A.В., Лопин, A.В., Борискин, В.Н.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Материалы электроники
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130089
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃ / A.В. Семенов, A.В. Лопин, В.Н. Борискин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 3. — С. 40-48. — Бібліогр.: 28 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-130089
record_format dspace
spelling irk-123456789-1300892018-02-06T03:03:39Z Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃ Семенов, A.В. Лопин, A.В. Борискин, В.Н. Материалы электроники Исследована радиационная стойкость пленок нанокристаллического карбида кремния nc-SiC на подложке из монокристалла сапфира в условиях облучения высокоэнергетическими (10 МэВ) электронами в диапазоне флюенса 5∙10¹⁴—2∙10²⁰ см⁻². Установлено, что радиационные изменения в пленках nc-SiC в первую очередь проявляются в УФ-области спектра поглощения, обусловленной межзонными переходами. Показано, что вслед за начальной разупорядоченностью пленок nc-SiC, полученной при флюенсе 5∙10¹⁴—1∙10¹⁶ см⁻², происходит упорядочение структуры при дозах облучения (1—5)∙10¹⁷ см⁻². Установлено, что начало отжига дефектов в облученных пленках наблюдается уже при 200°C. Существенные изменения оптических свойств в сапфире начинаются при флюенсе 5∙10¹⁷ см⁻², что следует учитывать при использовании этих материалов для оптоэлектронных приборов в условиях интенсивных радиационных воздействий. Досліджено стійкість до радіації плівок нанокристалічного карбіду кремнію на підкладці з монокристала сапфіра в умовах опромінення високоенергетичними (10 МеВ) електронами в діапазоні 5∙10¹⁴—2∙10²⁰ см⁻². Встановлено, що радіаційні зміни в плівках nc-SiC в першу чергу проявляються в УФ-області спектра поглинання, яка пов'язана з міжзонними переходами. Показано, що слідом за початковою разупорядкованістю плівок nc-SiC при флюенсі 5∙10¹⁴—1∙10¹⁶ см⁻² відбувається впорядкування структури при дозах опромінення (1—5)∙10¹⁷ см⁻². Встановлено, що початок відпалу дефектів в опромінених плівках спостерігається вже за температури 200°C. Істотні зміни оптичних властивостей в сапфірі починаються при флюенсі 5∙10¹⁷ см⁻², що слід враховувати при використанні цих матеріалів для оптоелектронних приладів і сенсорів в умовах інтенсивного радіаційного впливу. It was studied the effect of irradiation with high-energy (10 MeV) electrons on the optical properties of nanocrystalline carbide film system silicon / sapphire substrates in a wide range of fluences of 5∙10¹⁴ to 9∙1019 cm⁻² and subsequent annealing in vacuum in the range of 200—1200°C. It was found that radiation-induced changes in the optical properties of nc-SiC films is primarily manifested in the UV region of the spectrum associated with interband transitions, as well as in the region of the spectrum due to the absorption of intrinsic defects and disordered regions. It was established in the beginning of the annealing of defects in irradiated films has been observed at 200°C, which indicates the high concentration of carbon vacancies with the lowest activation energy. Significant changes in the optical properties of sapphire begin at fluence 5∙10¹⁷ cm⁻², which should be considered when using these materials under conditions of intense radiation impact. 2017 Article Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃ / A.В. Семенов, A.В. Лопин, В.Н. Борискин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 3. — С. 40-48. — Бібліогр.: 28 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2017.3.40 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130089 539.216.281,261 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Материалы электроники
Материалы электроники
spellingShingle Материалы электроники
Материалы электроники
Семенов, A.В.
Лопин, A.В.
Борискин, В.Н.
Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Исследована радиационная стойкость пленок нанокристаллического карбида кремния nc-SiC на подложке из монокристалла сапфира в условиях облучения высокоэнергетическими (10 МэВ) электронами в диапазоне флюенса 5∙10¹⁴—2∙10²⁰ см⁻². Установлено, что радиационные изменения в пленках nc-SiC в первую очередь проявляются в УФ-области спектра поглощения, обусловленной межзонными переходами. Показано, что вслед за начальной разупорядоченностью пленок nc-SiC, полученной при флюенсе 5∙10¹⁴—1∙10¹⁶ см⁻², происходит упорядочение структуры при дозах облучения (1—5)∙10¹⁷ см⁻². Установлено, что начало отжига дефектов в облученных пленках наблюдается уже при 200°C. Существенные изменения оптических свойств в сапфире начинаются при флюенсе 5∙10¹⁷ см⁻², что следует учитывать при использовании этих материалов для оптоэлектронных приборов в условиях интенсивных радиационных воздействий.
format Article
author Семенов, A.В.
Лопин, A.В.
Борискин, В.Н.
author_facet Семенов, A.В.
Лопин, A.В.
Борискин, В.Н.
author_sort Семенов, A.В.
title Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃
title_short Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃
title_full Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃
title_fullStr Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃
title_full_unstemmed Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃
title_sort влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического sic на подложках из монокристалла al₂o₃
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2017
topic_facet Материалы электроники
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130089
citation_txt Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃ / A.В. Семенов, A.В. Лопин, В.Н. Борискин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 3. — С. 40-48. — Бібліогр.: 28 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT semenovav vliânieélektronnogooblučeniânaoptičeskiesvojstvaplenoknanokristalličeskogosicnapodložkahizmonokristallaal2o3
AT lopinav vliânieélektronnogooblučeniânaoptičeskiesvojstvaplenoknanokristalličeskogosicnapodložkahizmonokristallaal2o3
AT boriskinvn vliânieélektronnogooblučeniânaoptičeskiesvojstvaplenoknanokristalličeskogosicnapodložkahizmonokristallaal2o3
first_indexed 2023-10-18T20:59:20Z
last_indexed 2023-10-18T20:59:20Z
_version_ 1796151631995207680

Схожі ресурси