Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем

• Дата: 2017
• Автори: Гладковский, В.В., Федорович, О.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Материалы электроники
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130099
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем / В.В. Гладковский , О.А. Федорович // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 4-5. — С. 40-44. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Представлены результаты исследования влияния количества кислорода в смеси с гексафторидом серы на скорость и анизотропию травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитным полем. Процесс травления проходил при давлении в рабочей камере (0,3—2,0)∙10⁻³ Торр, энергия химически активных ионов составляла 50—80 эВ. Исследовано влияние магнитного поля на скорость и анизотропию травления. Показано, что увеличение напряженности магнитного поля приводит к ухудшению анизотропии. Разработан и оптимизирован процесс глубокого плазмохимического травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитным полем в смеси SF₆—O₂, что позволило протравить кремний на глубину 100 мкм с анизотропией 10 при использовании защитной никелевой маски толщиной 0,4—1,0 мкм.