2025-02-22T17:55:41-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-130099%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T17:55:41-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-130099%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T17:55:41-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-22T17:55:41-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем

Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем

Представлены результаты исследования влияния количества кислорода в смеси с гексафторидом серы на скорость и анизотропию травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитным полем. Процесс травления проходил при давлении в рабочей камере (0,3—2,0)∙10⁻³ Торр, энергия химически активн...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Гладковский, В.В., Федорович, О.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Материалы электроники
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130099
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Представлены результаты исследования влияния количества кислорода в смеси с гексафторидом серы на скорость и анизотропию травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитным полем. Процесс травления проходил при давлении в рабочей камере (0,3—2,0)∙10⁻³ Торр, энергия химически активных ионов составляла 50—80 эВ. Исследовано влияние магнитного поля на скорость и анизотропию травления. Показано, что увеличение напряженности магнитного поля приводит к ухудшению анизотропии. Разработан и оптимизирован процесс глубокого плазмохимического травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитным полем в смеси SF₆—O₂, что позволило протравить кремний на глубину 100 мкм с анизотропией 10 при использовании защитной никелевой маски толщиной 0,4—1,0 мкм.

Similar Items