Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe
Разработана топология и технологические режимы изготовления дискретных фотодиодов (диаметр 0,5 1,5 мм) средневолнового инфракрасного диапазона спектра на базе эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур (КРТ). Исследованы оптические, фотоэлектрические и вольт-амперные характеристики дискретных КРТ-фото...
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2017
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130108 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe / З.Ф. Цибрий, Е.В. Андреева, М.В. Апатская, С.Г. Бунчук, Н.В. Вуйчик, А.Г. Голенков, Н.В. Дмитрук, В.В. Забудский, И.А. Лысюк, Е.В. Свеженцова, М.И. Смолий, Ф.Ф. Сизов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 6. — С. 8-13. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-130108 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1301082018-02-07T03:02:33Z Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe Цибрий, З.Ф. Андреева, Е.В. Апатская, М.В. Бунчук, С.Г. Вуйчик, Н.В. Голенков, А.Г. Дмитрук, Н.В. Забудский, В.В. Лысюк, И.А. Свеженцова, Е.В. Смолий, М.И. Сизов, Ф.Ф. Новые компоненты для электронной аппаратуры Разработана топология и технологические режимы изготовления дискретных фотодиодов (диаметр 0,5 1,5 мм) средневолнового инфракрасного диапазона спектра на базе эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур (КРТ). Исследованы оптические, фотоэлектрические и вольт-амперные характеристики дискретных КРТ-фотодиодов для спектрального диапазона 3 5 мкм с целью достижения необходимых эксплуатационных параметров. Установлено, что полученные фотодиоды могут работать в режимах, ограниченных флуктуациями фонового излучения (BLIP-режим). Розроблено топологію та технологічні режими виготовлення дискретних фотодіодів (діаметр 0,5 1,5 мм) для середнього інфрачервоного діапазону спектра на основі епітаксійних шарів кадмій-ртутьтелур (КРТ). Досліджено оптичні, фотоелектричні та вольт-амперні характеристики дискретних КРТ-фотодіодів для спектрального діапазону 3 5 мкм з метою досягнення необхідних експлуатаційних параметрів. Встановлено, що одержані фотодіоди можуть працювати в режимах, обмежених флуктуаціями фонового випромінювання (BLIP-режим). The authors have developed the topology and technological fabrication route for discrete photodiodes (∅ = 0,5—1,5 mm) for the mid wavelength infrared (MWIR) range, based on the mercury-cadmium-telluride (MCT) epitaxial layers. The paper describes technological processes of MCT photodiodes fabrication, including CdTe passivation layers growth, photolithographic processes for the formation of windows for B+ implantation, formation of metallic coatings, chemical surface treatments, cutting of the wafer on the discrete chips, assembling and bonding of the electrical contacts. Optical, photoelectrical and current-voltage characteristics of discrete MCT photodiodes for the spectral range of 3—5 microns are investigated in order to achieve the necessary operational parameters. 2017 Article Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe / З.Ф. Цибрий, Е.В. Андреева, М.В. Апатская, С.Г. Бунчук, Н.В. Вуйчик, А.Г. Голенков, Н.В. Дмитрук, В.В. Забудский, И.А. Лысюк, Е.В. Свеженцова, М.И. Смолий, Ф.Ф. Сизов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 6. — С. 8-13. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2017.6.08 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130108 621.383.522 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Новые компоненты для электронной аппаратуры Новые компоненты для электронной аппаратуры |
| spellingShingle |
Новые компоненты для электронной аппаратуры Новые компоненты для электронной аппаратуры Цибрий, З.Ф. Андреева, Е.В. Апатская, М.В. Бунчук, С.Г. Вуйчик, Н.В. Голенков, А.Г. Дмитрук, Н.В. Забудский, В.В. Лысюк, И.А. Свеженцова, Е.В. Смолий, М.И. Сизов, Ф.Ф. Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Разработана топология и технологические режимы изготовления дискретных фотодиодов (диаметр 0,5 1,5 мм) средневолнового инфракрасного диапазона спектра на базе эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур (КРТ). Исследованы оптические, фотоэлектрические и вольт-амперные характеристики дискретных КРТ-фотодиодов для спектрального диапазона 3 5 мкм с целью достижения необходимых эксплуатационных параметров. Установлено, что полученные фотодиоды могут работать в режимах, ограниченных флуктуациями фонового излучения (BLIP-режим). |
| format |
Article |
| author |
Цибрий, З.Ф. Андреева, Е.В. Апатская, М.В. Бунчук, С.Г. Вуйчик, Н.В. Голенков, А.Г. Дмитрук, Н.В. Забудский, В.В. Лысюк, И.А. Свеженцова, Е.В. Смолий, М.И. Сизов, Ф.Ф. |
| author_facet |
Цибрий, З.Ф. Андреева, Е.В. Апатская, М.В. Бунчук, С.Г. Вуйчик, Н.В. Голенков, А.Г. Дмитрук, Н.В. Забудский, В.В. Лысюк, И.А. Свеженцова, Е.В. Смолий, М.И. Сизов, Ф.Ф. |
| author_sort |
Цибрий, З.Ф. |
| title |
Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe |
| title_short |
Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe |
| title_full |
Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe |
| title_fullStr |
Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe |
| title_full_unstemmed |
Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe |
| title_sort |
дискретные фотоприемники средневолнового ик-диапазона спектра на основе hgcdte |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2017 |
| topic_facet |
Новые компоненты для электронной аппаратуры |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130108 |
| citation_txt |
Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe / З.Ф. Цибрий, Е.В. Андреева, М.В. Апатская, С.Г. Бунчук, Н.В. Вуйчик, А.Г. Голенков, Н.В. Дмитрук, В.В. Забудский, И.А. Лысюк, Е.В. Свеженцова, М.И. Смолий, Ф.Ф. Сизов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 6. — С. 8-13. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT cibrijzf diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte AT andreevaev diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte AT apatskaâmv diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte AT bunčuksg diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte AT vujčiknv diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte AT golenkovag diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte AT dmitruknv diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte AT zabudskijvv diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte AT lysûkia diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte AT svežencovaev diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte AT smolijmi diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte AT sizovff diskretnyefotopriemnikisrednevolnovogoikdiapazonaspektranaosnovehgcdte |
| first_indexed |
2023-10-18T20:59:23Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:59:23Z |
| _version_ |
1796151634010570752 |