Carbon nanowalls in field emission cathodes
The carbon nanowall (CNW) layers were grown from a gas mixture of hydrogen and methane, activated by a DC glow discharge, on Si substrates (Si/CNW layered structure). The second layer of CNW was grown either on the first layer (Si/CNW/CNW structure) or on Ni or NiO films deposited on the first CNW l...
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2017
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130112 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Carbon nanowalls in field emission cathodes / А.F. Belyanin, V.V. Borisov, S.A. Daghetsyan, S.A. Evlashin, A.A. Pilevsky, V.A. Samorodov // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 6. — С. 34-43. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-130112 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1301122018-02-07T03:02:42Z Carbon nanowalls in field emission cathodes Belyanin, А.F. Borisov, V.V. Daghetsyan, S.A. Evlashin, S.A. Pilevsky, A.A. Samorodov, V.A. Материалы электроники The carbon nanowall (CNW) layers were grown from a gas mixture of hydrogen and methane, activated by a DC glow discharge, on Si substrates (Si/CNW layered structure). The second layer of CNW was grown either on the first layer (Si/CNW/CNW structure) or on Ni or NiO films deposited on the first CNW layer (Si/CNW/Ni/CNW and Si/CNW/NiO/CNW structures). The composition and structure of the resulting layered structures were studied using scanning electron microscopy, Raman spectroscopy, and X-ray diffractometry. It was found that annealing of Si/CNW structure in vacuum, growing of the second CNW layer on Si/CNW, as well as deposition of Ni or NiO films prior to the growing of the second CNW layer improve functional properties of field emission cathodes based on the electron-emitting CNW layers. Слои углеродных наностенок (СН) выращивали из газовой смеси водорода и метана, активированной тлеющим разрядом постоянного тока, на подложках из Si (слоистая структура Si/СН). Второй слой СН выращивали на первом слое (структура Si/СН/СН) или на пленках Ni или NiO, осажденных на первом слое СН (структуры Si/СН/Ni/СН и Si/СН/NiO/СН). Методами растровой электронной микроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния света и рентгеновской дифрактометрии исследованы состав и строение полученных слоистых структур. Установлено, что отжиг в вакууме структуры Si/СН, наращивание на Si/СН второго слоя СН, а также нанесение пленок Ni или NiO перед наращиванием второго слоя СН приводят к улучшению функциональных свойств автоэмиссионных катодов на основе слоев СН, эмитирующих электроны. Шари СН для досліджень вирощували з газової суміші Н₂ і СН₄, активованої тліючим розрядом постійного струму, на підкладках з Si. Перед нарощуванням СН на підкладках створювалися вуглецеві затравочні центри шляхом обробки поверхні іонами Н+ та СхНу+. Емісійні характеристики отриманих шаруватих структур Si/СН контролювали півгодинними випробуваннями. Піддані випробуванням та/або тривалому зберіганню на відкритому повітрі шаруваті структури Si/СН або відпалювали в вакуумі (1,5 години при 720 К), або на їх поверхні нарощували другий шар СН (Si/СН/СН) за тих же умов, що і перший. Другий шар СН нарощували також на поверхні першого шару СН, вкритого плівкою Ni або NiO (структури Si/СН/Ni/СН та Si/СН/NiO/СН). Плівки Ni отримували методом магнетронного розпилення, а плівки NiO — термічною обробкою в розчині Ni(NO₃)₂. Максимальна висота першого шару СН щодо підкладки становила 2—4 мкм, сумарна висота першого і другого шарів — 8,5 мкм. Склад і будову шаруватих структур досліджували з використанням растрової електронної мікроскопії, рентгенівської дифрактометрії і спектрометрії комбінаційного розсіювання світла. 2017 Article Carbon nanowalls in field emission cathodes / А.F. Belyanin, V.V. Borisov, S.A. Daghetsyan, S.A. Evlashin, A.A. Pilevsky, V.A. Samorodov // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 6. — С. 34-43. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2017.6.34 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130112 538.911: 538.975 en Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| topic |
Материалы электроники Материалы электроники |
| spellingShingle |
Материалы электроники Материалы электроники Belyanin, А.F. Borisov, V.V. Daghetsyan, S.A. Evlashin, S.A. Pilevsky, A.A. Samorodov, V.A. Carbon nanowalls in field emission cathodes Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
The carbon nanowall (CNW) layers were grown from a gas mixture of hydrogen and methane, activated by a DC glow discharge, on Si substrates (Si/CNW layered structure). The second layer of CNW was grown either on the first layer (Si/CNW/CNW structure) or on Ni or NiO films deposited on the first CNW layer (Si/CNW/Ni/CNW and Si/CNW/NiO/CNW structures). The composition and structure of the resulting layered structures were studied using scanning electron microscopy, Raman spectroscopy, and X-ray diffractometry. It was found that annealing of Si/CNW structure in vacuum, growing of the second CNW layer on Si/CNW, as well as deposition of Ni or NiO films prior to the growing of the second CNW layer improve functional properties of field emission cathodes based on the electron-emitting CNW layers. |
| format |
Article |
| author |
Belyanin, А.F. Borisov, V.V. Daghetsyan, S.A. Evlashin, S.A. Pilevsky, A.A. Samorodov, V.A. |
| author_facet |
Belyanin, А.F. Borisov, V.V. Daghetsyan, S.A. Evlashin, S.A. Pilevsky, A.A. Samorodov, V.A. |
| author_sort |
Belyanin, А.F. |
| title |
Carbon nanowalls in field emission cathodes |
| title_short |
Carbon nanowalls in field emission cathodes |
| title_full |
Carbon nanowalls in field emission cathodes |
| title_fullStr |
Carbon nanowalls in field emission cathodes |
| title_full_unstemmed |
Carbon nanowalls in field emission cathodes |
| title_sort |
carbon nanowalls in field emission cathodes |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2017 |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130112 |
| citation_txt |
Carbon nanowalls in field emission cathodes / А.F. Belyanin, V.V. Borisov, S.A. Daghetsyan, S.A. Evlashin, A.A. Pilevsky, V.A. Samorodov // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 6. — С. 34-43. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT belyaninaf carbonnanowallsinfieldemissioncathodes AT borisovvv carbonnanowallsinfieldemissioncathodes AT daghetsyansa carbonnanowallsinfieldemissioncathodes AT evlashinsa carbonnanowallsinfieldemissioncathodes AT pilevskyaa carbonnanowallsinfieldemissioncathodes AT samorodovva carbonnanowallsinfieldemissioncathodes |
| first_indexed |
2023-10-18T20:59:23Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:59:23Z |
| _version_ |
1796151634436292608 |