Сверхпроводимость в примесных системах с пониженной плотностью носителей заряда и сильными электронными корреляциями
Исследовано влияние парамагнитной примеси на температуру сверхпроводящего перехода Tc, энергетическую щель Ωg и параметр порядка Δ при T=0 в системах с пониженной плотностью носителей заряда и сильными электронными корреляциями. Показано, что учет вершинных и "пересекающихся" функций, связ...
Збережено в:
| Видавець: | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2002 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2002
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130154 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Сверхпроводимость в примесных системах с пониженной плотностью носителей заряда и сильными электронными корреляциями / М.Е. Палистрант // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 2. — С. 157-167. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!