Зависимости энергетических зон в полупроводниках от изотопического состава. Универсальное соотношение для моноатомных кpисталлов
Обсуждается вопрос о влиянии композиции изотопов компонентов соединения на структуру энергетических зон Ef,n в полупроводниках. Рассматривается роль возникающих при варьировании изотопического состава изменений объема элементарной ячейки решетки и перенормировки электрон-фононного взаимодействия. Дл...
Збережено в:
Дата: | 2002 |
---|---|
Автор: | |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2002
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130157 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Зависимости энергетических зон в полупроводниках от изотопического состава. Универсальное соотношение для моноатомных кpисталлов / А.П. Жернов // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 2. — С. 183-193. — Бібліогр.: 30 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Обсуждается вопрос о влиянии композиции изотопов компонентов соединения на структуру энергетических зон Ef,n в полупроводниках. Рассматривается роль возникающих при варьировании изотопического состава изменений объема элементарной ячейки решетки и перенормировки электрон-фононного взаимодействия. Для случая моноатомных систем в приближении виртуального кристалла получено универсальное соотношение для зависимости зон от состава и температуры. |
---|