Зависимости энергетических зон в полупроводниках от изотопического состава. Универсальное соотношение для моноатомных кpисталлов
Обсуждается вопрос о влиянии композиции изотопов компонентов соединения на структуру энергетических зон Ef,n в полупроводниках. Рассматривается роль возникающих при варьировании изотопического состава изменений объема элементарной ячейки решетки и перенормировки электрон-фононного взаимодействия. Дл...
Збережено в:
Дата: | 2002 |
---|---|
Автор: | |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2002
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130157 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Зависимости энергетических зон в полупроводниках от изотопического состава. Универсальное соотношение для моноатомных кpисталлов / А.П. Жернов // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 2. — С. 183-193. — Бібліогр.: 30 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-130157 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-1301572018-02-09T03:03:29Z Зависимости энергетических зон в полупроводниках от изотопического состава. Универсальное соотношение для моноатомных кpисталлов Жернов, А.П. Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Обсуждается вопрос о влиянии композиции изотопов компонентов соединения на структуру энергетических зон Ef,n в полупроводниках. Рассматривается роль возникающих при варьировании изотопического состава изменений объема элементарной ячейки решетки и перенормировки электрон-фононного взаимодействия. Для случая моноатомных систем в приближении виртуального кристалла получено универсальное соотношение для зависимости зон от состава и температуры. The influence of the isotopic composition of the components of semiconductor compounds on the structure of the energy bands Ef,n is discussed. The respective roles of changes in the volume of the unit cell of the crystal and of renormalization of the electron–phonon interaction upon changes in the isotopic composition are considered. For the case of monoatomic systems in the virtual crystal approximation a universal relation is obtained for the dependence of the bands on the composition and temperature. 2002 Article Зависимости энергетических зон в полупроводниках от изотопического состава. Универсальное соотношение для моноатомных кpисталлов / А.П. Жернов // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 2. — С. 183-193. — Бібліогр.: 30 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 65.70.+y http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130157 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
topic |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
spellingShingle |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Жернов, А.П. Зависимости энергетических зон в полупроводниках от изотопического состава. Универсальное соотношение для моноатомных кpисталлов Физика низких температур |
description |
Обсуждается вопрос о влиянии композиции изотопов компонентов соединения на структуру энергетических зон Ef,n в полупроводниках. Рассматривается роль возникающих при варьировании изотопического состава изменений объема элементарной ячейки решетки и перенормировки электрон-фононного взаимодействия. Для случая моноатомных систем в приближении виртуального кристалла получено универсальное соотношение для зависимости зон от состава и температуры. |
format |
Article |
author |
Жернов, А.П. |
author_facet |
Жернов, А.П. |
author_sort |
Жернов, А.П. |
title |
Зависимости энергетических зон в полупроводниках от изотопического состава. Универсальное соотношение для моноатомных кpисталлов |
title_short |
Зависимости энергетических зон в полупроводниках от изотопического состава. Универсальное соотношение для моноатомных кpисталлов |
title_full |
Зависимости энергетических зон в полупроводниках от изотопического состава. Универсальное соотношение для моноатомных кpисталлов |
title_fullStr |
Зависимости энергетических зон в полупроводниках от изотопического состава. Универсальное соотношение для моноатомных кpисталлов |
title_full_unstemmed |
Зависимости энергетических зон в полупроводниках от изотопического состава. Универсальное соотношение для моноатомных кpисталлов |
title_sort |
зависимости энергетических зон в полупроводниках от изотопического состава. универсальное соотношение для моноатомных кpисталлов |
publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
publishDate |
2002 |
topic_facet |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130157 |
citation_txt |
Зависимости энергетических зон в полупроводниках от изотопического состава. Универсальное соотношение для моноатомных кpисталлов / А.П. Жернов // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 2. — С. 183-193. — Бібліогр.: 30 назв. — рос. |
series |
Физика низких температур |
work_keys_str_mv |
AT žernovap zavisimostiénergetičeskihzonvpoluprovodnikahotizotopičeskogosostavauniversalʹnoesootnošeniedlâmonoatomnyhkpistallov |
first_indexed |
2023-10-18T20:57:18Z |
last_indexed |
2023-10-18T20:57:18Z |
_version_ |
1796151545549553664 |