Проявление эффектов кулоновской блокады при произвольном вырождении уровней молекулярного контакта

Изучены вольт-амперные характеристики (ВАХ) структур металл-молекула-металл при условии туннелирования электронов только через один молекулярный уровень с произвольным вырождением. Решена система кинетических уравнений, учитывающих накопление заряда на молекуле, и впервые получена точная формула для...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2002
Автор:	Клименко, Ю.А.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2002
Назва видання:	Физика низких температур
Теми:	Электpонные свойства металлов и сплавов
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130217
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Проявление эффектов кулоновской блокады при произвольном вырождении уровней молекулярного контакта / Ю.А. Клименко // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 6. — С. 558-568. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-130217
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1302172018-02-10T03:03:53Z Проявление эффектов кулоновской блокады при произвольном вырождении уровней молекулярного контакта Клименко, Ю.А. Электpонные свойства металлов и сплавов Изучены вольт-амперные характеристики (ВАХ) структур металл-молекула-металл при условии туннелирования электронов только через один молекулярный уровень с произвольным вырождением. Решена система кинетических уравнений, учитывающих накопление заряда на молекуле, и впервые получена точная формула для стационарного тока. В пределе низких температур проведен анализ ступенек ВАХ и обнаружена их неэквидистантность по току. Показано, что с увеличением кратности вырождения уровня начальные ступеньки тока стремятся к полностью эквидистантным. В случае существенно различных параметров связи между молекулой и внешними электродами обнаружено различное поведение вольт-амперных кривых на участках с противоположным направлением тока: либо образуется одна токовая ступенька с амплитудой, пропорциональной кратности вырождения уровня, либо возникают эквидистантные ступеньки тока, число которых совпадает со степенью вырождения уровня. Показано, что при заданной полярности приложенного напряжения то или иное поведение тока полностью определяется условием, через какой уровень, занятый электронами или свободный, осуществляется транспорт электронов. Отмеченные результаты теорети ческого анализа ВАХ подтверждаются численным моделированием. The current-voltage (I–V) characteristics of a metal–molecule–metal structure are investigated under the condition that electron tunneling occurs only via a single molecular level of arbitrary degeneracy. A system of kinetic equations taking into account the accumulation of charge on the molecule is solved, and an exact formula for the steady-state current is obtained for the first time. In the low-temperature limit the steps on the I–V characteristic are analyzed and found to be nonequidistant with respect to current. It is shown that with increasing degeneracy of the level the initial current steps tend toward a completely equidistant spacing. In the case when the coupling parameters between the molecule and external electrodes are substantially different, the behavior of the I–V curves on parts with opposite directions of the current is found to be different: either a single current step is formed, with an amplitude proportional to the degeneracy of the level, or equidistant current steps appear in a number equal to the degeneracy of the level. It is shown that for a given polarity of the applied voltage, the matter of which of the two behaviors of the current is realized is completely conditional on whether the level via which the electron transport occurs is occupied or unoccupied by electrons. The results of the theoretical analysis of the I–V characteristics are confirmed by a numerical simulation. 2002 Article Проявление эффектов кулоновской блокады при произвольном вырождении уровней молекулярного контакта / Ю.А. Клименко // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 6. — С. 558-568. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 61.16.Ch, 72.80.-r http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130217 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Электpонные свойства металлов и сплавов Электpонные свойства металлов и сплавов
spellingShingle	Электpонные свойства металлов и сплавов Электpонные свойства металлов и сплавов Клименко, Ю.А. Проявление эффектов кулоновской блокады при произвольном вырождении уровней молекулярного контакта Физика низких температур
description	Изучены вольт-амперные характеристики (ВАХ) структур металл-молекула-металл при условии туннелирования электронов только через один молекулярный уровень с произвольным вырождением. Решена система кинетических уравнений, учитывающих накопление заряда на молекуле, и впервые получена точная формула для стационарного тока. В пределе низких температур проведен анализ ступенек ВАХ и обнаружена их неэквидистантность по току. Показано, что с увеличением кратности вырождения уровня начальные ступеньки тока стремятся к полностью эквидистантным. В случае существенно различных параметров связи между молекулой и внешними электродами обнаружено различное поведение вольт-амперных кривых на участках с противоположным направлением тока: либо образуется одна токовая ступенька с амплитудой, пропорциональной кратности вырождения уровня, либо возникают эквидистантные ступеньки тока, число которых совпадает со степенью вырождения уровня. Показано, что при заданной полярности приложенного напряжения то или иное поведение тока полностью определяется условием, через какой уровень, занятый электронами или свободный, осуществляется транспорт электронов. Отмеченные результаты теорети ческого анализа ВАХ подтверждаются численным моделированием.
format	Article
author	Клименко, Ю.А.
author_facet	Клименко, Ю.А.
author_sort	Клименко, Ю.А.
title	Проявление эффектов кулоновской блокады при произвольном вырождении уровней молекулярного контакта
title_short	Проявление эффектов кулоновской блокады при произвольном вырождении уровней молекулярного контакта
title_full	Проявление эффектов кулоновской блокады при произвольном вырождении уровней молекулярного контакта
title_fullStr	Проявление эффектов кулоновской блокады при произвольном вырождении уровней молекулярного контакта
title_full_unstemmed	Проявление эффектов кулоновской блокады при произвольном вырождении уровней молекулярного контакта
title_sort	проявление эффектов кулоновской блокады при произвольном вырождении уровней молекулярного контакта
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate	2002
topic_facet	Электpонные свойства металлов и сплавов
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130217
citation_txt	Проявление эффектов кулоновской блокады при произвольном вырождении уровней молекулярного контакта / Ю.А. Клименко // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 6. — С. 558-568. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
series	Физика низких температур
work_keys_str_mv	AT klimenkoûa proâvlenieéffektovkulonovskojblokadypriproizvolʹnomvyroždeniiurovnejmolekulârnogokontakta
first_indexed	2023-10-18T20:59:31Z
last_indexed	2023-10-18T20:59:31Z
_version_	1796151639328948224

Проявление эффектов кулоновской блокады при произвольном вырождении уровней молекулярного контакта

Репозитарії

Схожі ресурси