Динамика решетки и теплоемкость двумерного моноатомного кристалла на подложке

Предложена модель, дающая аналитическое описание динамики коллективных возбуждений двумерных плотноупакованных атомарных кристаллических решеток (атомарные монослои на подложках). В рамках модели учтены как взаимодействие между атомами слоя, так и взаимодействие слоя с подложкой. Найдены фононные сп...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2002
Автори: Анцыгина, Т.Н., Полтавский, И.И., Полтавская, М.И., Чишко, К.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2002
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130226
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Динамика решетки и теплоемкость двумерного моноатомного кристалла на подложке / Т.Н. Анцыгина, И.И. Полтавский, М.И. Полтавская, К.А. Чишко // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 6. — С. 621-634. — Бібліогр.: 36 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Предложена модель, дающая аналитическое описание динамики коллективных возбуждений двумерных плотноупакованных атомарных кристаллических решеток (атомарные монослои на подложках). В рамках модели учтены как взаимодействие между атомами слоя, так и взаимодействие слоя с подложкой. Найдены фононные спектры идеальной треугольной решетки, а также треугольной решетки с однородной дисторсией вдоль одного из направлений плотной упаковки в плоскости слоя. Построены температурные зависимости теплоемкости как соизмеримых, так и несоизмеримых с подложкой двумерных кристаллических структур. Полученные теоретические результаты применены для детального обсуждения и интерпретации известных из литературы экспериментальных данных по спектрам решеточных возбуждений и теплоемкости монослоев инертных газов, в том числе ³He и ⁴He, на подложках различных типов.