2025-02-23T04:31:00-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-130248%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T04:31:00-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-130248%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T04:31:00-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T04:31:00-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Флуктуационная проводимость в пленках YBa₂Cu₃O₇₋y с различным содержанием кислорода.I.Оптимально допированные и слабодопированные пленки YBCO

Исследована флуктуационная проводимость в пленках YBa₂Cu₃O₇₋y (YBCO) с различным содержанием кислорода.Для всех образцов обнаружен четкий переход от механизма рассеяния флуктуационных пар Маки-Томпсона к механизму Асламазова -Ларкина при приближении темпеpатуpы к Tc. По температуре перехода определе...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Соловьев, А.Л., Habermeier, H.-U., Haage, T.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2002
Series:Физика низких температур
Subjects:
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130248
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Исследована флуктуационная проводимость в пленках YBa₂Cu₃O₇₋y (YBCO) с различным содержанием кислорода.Для всех образцов обнаружен четкий переход от механизма рассеяния флуктуационных пар Маки-Томпсона к механизму Асламазова -Ларкина при приближении темпеpатуpы к Tc. По температуре перехода определены длина когерентности ξc(0 вдоль оси c и время фазовой релаксации флуктуационных пар τφ (100 K). Несмотря на то что при уменьшении кислородного индекса Tc уменьшалась от 87,4 до 54,2 K, для всех исследованных образцов получено τφ (100 K)=(335±0,01)×10⁻¹³c. Показано,что зависимость ξc(0) от Tc под чиняется стандартной теории сверхпроводимости. Проанализированы механизмы рассеяния носителей заряда и сверхпроводящего спаривания в ВТСП.