Экситоны в слоистых диэлектриках ZnI₂ и CdI₂:Zn
Исследованы собственные электронные спектры поглощения в слоистых соединениях ZnI₂ и CdI₂ , легированных Zn, в спектральном интервале 3-5,9 эВ. В качестве образцов использованы тонкие текстурированные пленки, осажденные на кварцевые подложки. Установлено, что ZnI₂ в отличие от CdI₂ принадлежит к пря...
Збережено в:
Дата: | 2002 |
---|---|
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2002
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130251 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Экситоны в слоистых диэлектриках ZnI₂ и CdI₂:Zn / О.Н. Юнакова, В.К. Милославский, Е.Н. Коваленко // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 4. — С. 406-413. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-130251 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-1302512018-02-10T03:03:12Z Экситоны в слоистых диэлектриках ZnI₂ и CdI₂:Zn Юнакова, О.Н. Милославский, В.К. Коваленко, Е.Н. Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Исследованы собственные электронные спектры поглощения в слоистых соединениях ZnI₂ и CdI₂ , легированных Zn, в спектральном интервале 3-5,9 эВ. В качестве образцов использованы тонкие текстурированные пленки, осажденные на кварцевые подложки. Установлено, что ZnI₂ в отличие от CdI₂ принадлежит к прямозонным диэлектрикам, несмотря на сходство кристаллических структур этих соединений. Введение атомов Zn в катионную подрешетку CdI₂ при концентрациях x ⩾1% приводит к исчезновению поглощения, связанного с непрямыми переходами, и возникновению сильной экситонной полосы на краю собственной полосы поглощения. Параметры экситонных полос (спектральное положение, полуширина Г, сила осциллятора f ) измерены в интервале температур 80-330 К. Измеренная темпеpатуpная зависимость Г типична для трехмерных экситонов в обоих соединениях. В ZnI₂ величина силы осциллятора уменьшается с ростом T из-за фактора Дебая-Валлера, в то время как в CdI₂:Zn увеличивается. Последний результат свидетельствует о запрещенном характере оптического прямого перехода на краю межзонного поглощения в CdI₂, частично разрешенного из-за экситон-фононного взаимодействия. The fundamental electronic absorption spectra in the layered compounds ZnI₂ and Zn-doped CdI₂ are investigated in the spectral interval 3–5.9 eV. The samples are thin grain-oriented films deposited on quartz substrates. It is found that ZnI₂, unlike CdI₂, is a direct-gap insulator, despite the similarity of the crystal structures of these compounds. The introduction of Zn atoms into the cation sublattice of CdI₂ at concentrations x⩾1% leads to the vanishing of the absorption from indirect transitions and to the appearance of a strong exciton band at the fundamental absorption band edge. The parameters of the exciton bands (spectral position, half-width Γ, oscillator strength f) are measured in the temperature interval 80–330 K. The measured temperature dependence of Γ in both compounds is typical for three-dimensional excitons. In ZnI₂ the oscillator strength decreases with increasing T because of the Debye–Waller factor, while in CdI₂:Zn it increases. This last result is evidence of the forbidden character of the direct optical transition at the interband absorption edge in CdI₂, which is partially allowed because of the exciton–phonon interaction. 2002 Article Экситоны в слоистых диэлектриках ZnI₂ и CdI₂:Zn / О.Н. Юнакова, В.К. Милославский, Е.Н. Коваленко // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 4. — С. 406-413. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 71.35.Cc http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130251 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
topic |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
spellingShingle |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Юнакова, О.Н. Милославский, В.К. Коваленко, Е.Н. Экситоны в слоистых диэлектриках ZnI₂ и CdI₂:Zn Физика низких температур |
description |
Исследованы собственные электронные спектры поглощения в слоистых соединениях ZnI₂ и CdI₂ , легированных Zn, в спектральном интервале 3-5,9 эВ. В качестве образцов использованы тонкие текстурированные пленки, осажденные на кварцевые подложки. Установлено, что ZnI₂ в отличие от CdI₂ принадлежит к прямозонным диэлектрикам, несмотря на сходство кристаллических структур этих соединений. Введение атомов Zn в катионную подрешетку CdI₂ при концентрациях x ⩾1% приводит к исчезновению поглощения, связанного с непрямыми переходами, и возникновению сильной экситонной полосы на краю собственной полосы поглощения. Параметры экситонных полос (спектральное положение, полуширина Г, сила осциллятора f ) измерены в интервале температур 80-330 К. Измеренная темпеpатуpная зависимость Г типична для трехмерных экситонов в обоих соединениях. В ZnI₂ величина силы осциллятора уменьшается с ростом T из-за фактора Дебая-Валлера, в то время как в CdI₂:Zn увеличивается. Последний результат свидетельствует о запрещенном характере оптического прямого перехода на краю межзонного поглощения в CdI₂, частично разрешенного из-за экситон-фононного взаимодействия. |
format |
Article |
author |
Юнакова, О.Н. Милославский, В.К. Коваленко, Е.Н. |
author_facet |
Юнакова, О.Н. Милославский, В.К. Коваленко, Е.Н. |
author_sort |
Юнакова, О.Н. |
title |
Экситоны в слоистых диэлектриках ZnI₂ и CdI₂:Zn |
title_short |
Экситоны в слоистых диэлектриках ZnI₂ и CdI₂:Zn |
title_full |
Экситоны в слоистых диэлектриках ZnI₂ и CdI₂:Zn |
title_fullStr |
Экситоны в слоистых диэлектриках ZnI₂ и CdI₂:Zn |
title_full_unstemmed |
Экситоны в слоистых диэлектриках ZnI₂ и CdI₂:Zn |
title_sort |
экситоны в слоистых диэлектриках zni₂ и cdi₂:zn |
publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
publishDate |
2002 |
topic_facet |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130251 |
citation_txt |
Экситоны в слоистых диэлектриках ZnI₂ и CdI₂:Zn / О.Н. Юнакова, В.К. Милославский, Е.Н. Коваленко // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 4. — С. 406-413. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
series |
Физика низких температур |
work_keys_str_mv |
AT ûnakovaon éksitonyvsloistyhdiélektrikahzni2icdi2zn AT miloslavskijvk éksitonyvsloistyhdiélektrikahzni2icdi2zn AT kovalenkoen éksitonyvsloistyhdiélektrikahzni2icdi2zn |
first_indexed |
2023-10-18T20:57:49Z |
last_indexed |
2023-10-18T20:57:49Z |
_version_ |
1796151549824598016 |