Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою

• Дата: 2017
• Автори: Чернишов, Б.В., Головащенко, Р.В., Деркач, В.М., Тарапов, С.І.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2017
• Назва видання: Радіофізика та електроніка
• Теми: Вакуумная и твердотельная электроника
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130259
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою / Б.В. Чернишов, Р.В. Головащенко, В.М. Деркач, С.І. Тарапов // Радіофізика та електроніка. — 2017. — Т. 22, № 4. — С. 49-54. — Бібліогр.: 17 назв. — укр.

Целью работы является экспериментальное исследование влияния свойств кремниевого дефектного слоя диэлектриче­ского фотонного кристалла на спектральные свойства пика пропускания. Показано влияние толщины дефектного слоя на частоту дефектной моды. Продемонстрирована и проанализи­рована при помощи фотонного кристалла возможность изменения характеристик пика пропускания посредством облучения кремниевого слоя зеленым лазером. Экспери­ментально обнаружено, что облучение приводит к уменьше­нию величины коэффициента прохождения на частоте де­фектной моды, но не изменяет частоту пика. Оценены концентрация неравновесных носителей заряда и их время жизни. Результаты данной работы могут быть использованы при производстве управляемых устройств миллиметрового диапазона длин волн и в качестве метода неразрушающего контроля свойств при производстве полупроводников.