2025-02-22T10:27:53-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-130259%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T10:27:53-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-130259%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T10:27:53-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-22T10:27:53-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою

Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою

Целью работы является экспериментальное исследование влияния свойств кремниевого дефектного слоя диэлектриче­ского фотонного кристалла на спектральные свойства пика пропускания. Показано влияние толщины дефектного слоя на частоту дефектной моды. Продемонстрирована и проанализи­рована при помощи фото...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Чернишов, Б.В., Головащенко, Р.В., Деркач, В.М., Тарапов, С.І.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2017
Series:Радіофізика та електроніка
Subjects:
Вакуумная и твердотельная электроника
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130259
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Целью работы является экспериментальное исследование влияния свойств кремниевого дефектного слоя диэлектриче­ского фотонного кристалла на спектральные свойства пика пропускания. Показано влияние толщины дефектного слоя на частоту дефектной моды. Продемонстрирована и проанализи­рована при помощи фотонного кристалла возможность изменения характеристик пика пропускания посредством облучения кремниевого слоя зеленым лазером. Экспери­ментально обнаружено, что облучение приводит к уменьше­нию величины коэффициента прохождения на частоте де­фектной моды, но не изменяет частоту пика. Оценены концентрация неравновесных носителей заряда и их время жизни. Результаты данной работы могут быть использованы при производстве управляемых устройств миллиметрового диапазона длин волн и в качестве метода неразрушающего контроля свойств при производстве полупроводников.

Similar Items