Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою

Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою

Целью работы является экспериментальное исследование влияния свойств кремниевого дефектного слоя диэлектриче­ского фотонного кристалла на спектральные свойства пика пропускания. Показано влияние толщины дефектного слоя на частоту дефектной моды. Продемонстрирована и проанализи­рована при помощи фото...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
Дата:2017
Автори: Чернишов, Б.В., Головащенко, Р.В., Деркач, В.М., Тарапов, С.І.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2017
Назва видання:Радіофізика та електроніка
Теми:
Вакуумная и твердотельная электроника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130259
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою / Б.В. Чернишов, Р.В. Головащенко, В.М. Деркач, С.І. Тарапов // Радіофізика та електроніка. — 2017. — Т. 22, № 4. — С. 49-54. — Бібліогр.: 17 назв. — укр.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-130259
record_format dspace
spelling irk-123456789-1302592018-02-10T03:03:45Z Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою Чернишов, Б.В. Головащенко, Р.В. Деркач, В.М. Тарапов, С.І. Вакуумная и твердотельная электроника Целью работы является экспериментальное исследование влияния свойств кремниевого дефектного слоя диэлектриче­ского фотонного кристалла на спектральные свойства пика пропускания. Показано влияние толщины дефектного слоя на частоту дефектной моды. Продемонстрирована и проанализи­рована при помощи фотонного кристалла возможность изменения характеристик пика пропускания посредством облучения кремниевого слоя зеленым лазером. Экспери­ментально обнаружено, что облучение приводит к уменьше­нию величины коэффициента прохождения на частоте де­фектной моды, но не изменяет частоту пика. Оценены концентрация неравновесных носителей заряда и их время жизни. Результаты данной работы могут быть использованы при производстве управляемых устройств миллиметрового диапазона длин волн и в качестве метода неразрушающего контроля свойств при производстве полупроводников. Метою роботи є експериментальне дослідження впливу властивостей кремнієвого дефектного шару діелектричного фотонного кристалу на спектральні властивості піку проход­ження. Показано вплив товщини дефектного шару на частоту дефектної моди. Показано та проаналізовано за допомогою фотонного кристалу можливість змінення характеристик піку проходження шляхом опромінення кремнієвого шару зеленим лазером. Експериментально знайдено, що опромінення призводить до зменшення коефіцієнта проходження на частоті дефектної моди, але не змінює частоту піка. Проведено чисельне оцінювання концентрації нерівноважних носіїв заряду та їх часу життя. Результати цієї роботи можуть бути використані у виробництві керованих пристроїв мілі­метрового діапазону довжин хвиль та в якості методу неруй­нівного контролю властивостей при виробництві напівпровідників. The purpose of this paper is an experimental investigation of the influence of properties of the silicon defect layer in a dielectric photonic crystal on the transmission peak spectral properties. The influence of the defect layer thickness on the defect mode frequency is shown. The possibility of changing characteristics of transmission peak by green laser illumination of the silicon layer is demonstrated and analyzed using a photonic crystal approach. It is experimentally found that illumination leads to a decrease of transmission coefficient value at the defect mode frequency, but does not lead to a change of this peak frequency. The non-equilibrium carriers concentration and their lifetime have been evaluated. The results of this paper can be used in manufacturing controllable circuits in millimeter waveband and the approach can be used in semiconductors manufacture as non-destructive control of semiconductors properties method. 2017 Article Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою / Б.В. Чернишов, Р.В. Головащенко, В.М. Деркач, С.І. Тарапов // Радіофізика та електроніка. — 2017. — Т. 22, № 4. — С. 49-54. — Бібліогр.: 17 назв. — укр. 1028-821X PACS: 41.20.Jb, 71.20.Mq, 72.40. +w DOI: doi.org/10.15407/rej2017.04.049 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130259 537.876.46 uk Радіофізика та електроніка Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
topic Вакуумная и твердотельная электроника
Вакуумная и твердотельная электроника
spellingShingle Вакуумная и твердотельная электроника
Вакуумная и твердотельная электроника
Чернишов, Б.В.
Головащенко, Р.В.
Деркач, В.М.
Тарапов, С.І.
Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою
Радіофізика та електроніка
description Целью работы является экспериментальное исследование влияния свойств кремниевого дефектного слоя диэлектриче­ского фотонного кристалла на спектральные свойства пика пропускания. Показано влияние толщины дефектного слоя на частоту дефектной моды. Продемонстрирована и проанализи­рована при помощи фотонного кристалла возможность изменения характеристик пика пропускания посредством облучения кремниевого слоя зеленым лазером. Экспери­ментально обнаружено, что облучение приводит к уменьше­нию величины коэффициента прохождения на частоте де­фектной моды, но не изменяет частоту пика. Оценены концентрация неравновесных носителей заряда и их время жизни. Результаты данной работы могут быть использованы при производстве управляемых устройств миллиметрового диапазона длин волн и в качестве метода неразрушающего контроля свойств при производстве полупроводников.
format Article
author Чернишов, Б.В.
Головащенко, Р.В.
Деркач, В.М.
Тарапов, С.І.
author_facet Чернишов, Б.В.
Головащенко, Р.В.
Деркач, В.М.
Тарапов, С.І.
author_sort Чернишов, Б.В.
title Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою
title_short Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою
title_full Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою
title_fullStr Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою
title_full_unstemmed Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою
title_sort метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою
publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
publishDate 2017
topic_facet Вакуумная и твердотельная электроника
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130259
citation_txt Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою / Б.В. Чернишов, Р.В. Головащенко, В.М. Деркач, С.І. Тарапов // Радіофізика та електроніка. — 2017. — Т. 22, № 4. — С. 49-54. — Бібліогр.: 17 назв. — укр.
series Радіофізика та електроніка
work_keys_str_mv AT černišovbv metodvimírûvannâkoncentracíínerívnovažnihnosíívzarâduvnapívprovídnikutaíhčasužittâzadopomogoûfotonnogokristaluzdefektnoûmodoû
AT golovaŝenkorv metodvimírûvannâkoncentracíínerívnovažnihnosíívzarâduvnapívprovídnikutaíhčasužittâzadopomogoûfotonnogokristaluzdefektnoûmodoû
AT derkačvm metodvimírûvannâkoncentracíínerívnovažnihnosíívzarâduvnapívprovídnikutaíhčasužittâzadopomogoûfotonnogokristaluzdefektnoûmodoû
AT tarapovsí metodvimírûvannâkoncentracíínerívnovažnihnosíívzarâduvnapívprovídnikutaíhčasužittâzadopomogoûfotonnogokristaluzdefektnoûmodoû
first_indexed 2023-10-18T20:59:35Z
last_indexed 2023-10-18T20:59:35Z
_version_ 1796151642626719744

Схожі ресурси