Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою
Целью работы является экспериментальное исследование влияния свойств кремниевого дефектного слоя диэлектрического фотонного кристалла на спектральные свойства пика пропускания. Показано влияние толщины дефектного слоя на частоту дефектной моды. Продемонстрирована и проанализирована при помощи фото...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2017 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2017
|
| Назва видання: | Радіофізика та електроніка |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130259 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою / Б.В. Чернишов, Р.В. Головащенко, В.М. Деркач, С.І. Тарапов // Радіофізика та електроніка. — 2017. — Т. 22, № 4. — С. 49-54. — Бібліогр.: 17 назв. — укр. |