Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации

В интервале темпеpатуp 2-300 К проведено сравнительное исследование теплопроводности образцов монокpисталла GaAs, полученных в земных условиях и аналогичным способом в условиях микрогравитации на пилотируемой станции "Мир". Обнаружено, что тепло в образцах переносится фононами. Проведена с...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2002
Автори:	Иванов, А.И., Лукьянов, А.Н., Мерисов, Б.А., Сологубенко, А.В., Хаджай, Г.Я.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2002
Назва видання:	Физика низких температур
Теми:	Динамика кристаллической решетки
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130279
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации / А.И. Иванов, А.Н. Лукьянов, Б.А. Мерисов, А.В. Сологубенко, Г.Я. Хаджай // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 6. — С. 648-652. — Бібліогр.: 13 назв. — роc.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-130279
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1302792018-02-11T03:03:06Z Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации Иванов, А.И. Лукьянов, А.Н. Мерисов, Б.А. Сологубенко, А.В. Хаджай, Г.Я. Динамика кристаллической решетки В интервале темпеpатуp 2-300 К проведено сравнительное исследование теплопроводности образцов монокpисталла GaAs, полученных в земных условиях и аналогичным способом в условиях микрогравитации на пилотируемой станции "Мир". Обнаружено, что тепло в образцах переносится фононами. Проведена согласованная обработка температурных зависимостей теплопроводности "земного" и "космического" образцов в рамках дебаевской модели фононного спектра с учетом граничного и резонансного рассеяний, а также рассеяния на "плоских дефектах" и фонон-фононных U-процессов. Различие в зависимостях теплопроводности "космического" и "земного" образцов связано с наличием в "земном" образце избыточного мышьяка, который обусловливает как резонансное рассеяние, так и рассеяние на "плоских дефектах", в качестве последних могут быть кластеры атомов мышьяка. В iнтервалi темпеpатуp 2–300 К проведено порiвняльне дослiдження теплопровiдностi зразкiв монокристалa GaAs, отриманих у земних умовах та аналогiчним способом в умовах мiкрогравiтацiї на пiлотованiй станцiї «Мир». Виявлено, що тепло у зразках переноситься фононами. Проведено узгоджену обробку температурних залежностей теплопровiдностi «земного» та «космiчного» зразкiв у рамках дебаївської моделi фононного спектра з урахуванням граничного та резонансного розсiянь, а також розсiяння на «плоских дефектах» та фонон-фононних U-процесiв. Рiзниця у залежностях теплопровiдностi «космiчного» та «земного» зразкiв пов’язанa з наявнiстю у «земному» зразку надлишкового миш’яку, який обумовлює як резонансне розсiяння, так i розсiяння на «плоских дефектах», у якостi останнiх можуть бути кластери атомiв миш’яку. A comparative study of the thermal conductivity in the temperature interval 2–300 K is carried out for single-crystal GaAs samples grown on Earth and grown under analogous conditions in microgravity on the manned space station Mir. It is found that the heat transfer in the samples is due to phonons. A consistent processing of the temperature dependence of the thermal conductivity of the Earth-grown and space-grown samples is carried out in the framework of the Debye model of the phonon spectrum with allowance for boundary and resonant scattering and for scattering on “planar defects” and phonon–phonon U-processes. The difference in the behavior of the thermal conductivity space-grown and Earth-grown samples is due to the presence of excess arsenic in the Earth-grown sample, resulting in both resonant scattering and scattering on planar defects, which may be clusters of arsenic atoms. 2002 Article Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации / А.И. Иванов, А.Н. Лукьянов, Б.А. Мерисов, А.В. Сологубенко, Г.Я. Хаджай // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 6. — С. 648-652. — Бібліогр.: 13 назв. — роc. 0132-6414 PACS: 66.60.+a http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130279 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Динамика кристаллической решетки Динамика кристаллической решетки
spellingShingle	Динамика кристаллической решетки Динамика кристаллической решетки Иванов, А.И. Лукьянов, А.Н. Мерисов, Б.А. Сологубенко, А.В. Хаджай, Г.Я. Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации Физика низких температур
description	В интервале темпеpатуp 2-300 К проведено сравнительное исследование теплопроводности образцов монокpисталла GaAs, полученных в земных условиях и аналогичным способом в условиях микрогравитации на пилотируемой станции "Мир". Обнаружено, что тепло в образцах переносится фононами. Проведена согласованная обработка температурных зависимостей теплопроводности "земного" и "космического" образцов в рамках дебаевской модели фононного спектра с учетом граничного и резонансного рассеяний, а также рассеяния на "плоских дефектах" и фонон-фононных U-процессов. Различие в зависимостях теплопроводности "космического" и "земного" образцов связано с наличием в "земном" образце избыточного мышьяка, который обусловливает как резонансное рассеяние, так и рассеяние на "плоских дефектах", в качестве последних могут быть кластеры атомов мышьяка.
format	Article
author	Иванов, А.И. Лукьянов, А.Н. Мерисов, Б.А. Сологубенко, А.В. Хаджай, Г.Я.
author_facet	Иванов, А.И. Лукьянов, А.Н. Мерисов, Б.А. Сологубенко, А.В. Хаджай, Г.Я.
author_sort	Иванов, А.И.
title	Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации
title_short	Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации
title_full	Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации
title_fullStr	Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации
title_full_unstemmed	Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации
title_sort	теплопроводность монокристалла gaas, выращенного в условиях микрогравитации
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate	2002
topic_facet	Динамика кристаллической решетки
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130279
citation_txt	Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации / А.И. Иванов, А.Н. Лукьянов, Б.А. Мерисов, А.В. Сологубенко, Г.Я. Хаджай // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 6. — С. 648-652. — Бібліогр.: 13 назв. — роc.
series	Физика низких температур
work_keys_str_mv	AT ivanovai teploprovodnostʹmonokristallagaasvyraŝennogovusloviâhmikrogravitacii AT lukʹânovan teploprovodnostʹmonokristallagaasvyraŝennogovusloviâhmikrogravitacii AT merisovba teploprovodnostʹmonokristallagaasvyraŝennogovusloviâhmikrogravitacii AT sologubenkoav teploprovodnostʹmonokristallagaasvyraŝennogovusloviâhmikrogravitacii AT hadžajgâ teploprovodnostʹmonokristallagaasvyraŝennogovusloviâhmikrogravitacii
first_indexed	2023-10-18T20:59:38Z
last_indexed	2023-10-18T20:59:38Z
_version_	1796151644546662400

Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации

Репозитарії

Схожі ресурси