Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type
Electrical properties (resistivity and temperature coefficient of resistivity) of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ solid solutions are studied using the model coatings deposited on mica substrate. Analysis of temperature dependences of the resistivity reveals that YGa₂ compound as well as the...
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2017
|
| Назва видання: | Металлофизика и новейшие технологии |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130438 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type / M.P. Semen’ko, N.M. Bilyavina, O.I. Nakonechna // Металлофизика и новейшие технологии. — 2017. — Т. 39, № 10. — С. 1299-1306. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-130438 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1304382018-02-14T03:03:43Z Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type Semen’ko, M.P. Bilyavina, N.M. Nakonechna, O.I. Электронные структура и свойства Electrical properties (resistivity and temperature coefficient of resistivity) of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ solid solutions are studied using the model coatings deposited on mica substrate. Analysis of temperature dependences of the resistivity reveals that YGa₂ compound as well as the solid solutions on its base possess a metallic conductivity. Substitution of a certain part of the gallium atoms in YGa₂ compound belonging to AlB₂-type structure with germanium, silicon or aluminium atoms leads to decrease of resistivity in the Ga → Ge → Si → Al series that may be caused by both the nature of atoms themselves and technological parameters of coatings’ preparation (primarily, by their homogeneity). Электрические свойства (электросопротивление и температурный коэффициент электросопротивления) твёрдых растворов Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ и Y(Ga,Ge)₂ исследованы с использованием модельных покрытий соответствующих сплавов на слюде. Анализ температурных зависимостей электросопротивления показал, что как соединению YGa₂, так и твёрдым растворам на его основе присущ металлический тип проводимости. Замещение определённой части атомов галлия в соединении YGa₂, которое относится к типу AlB₂, атомами германия, кремния или алюминия приводит к уменьшению электросопротивления в ряду Ga → Ge → Si → Al, что может быть обусловлено как природой самих атомов, так и технологическими особенностями изготовления покрытий (прежде всего, их гомогенностью). Електричні властивості (електроопір і температурний коефіцієнт електроопору) твердих розчинів Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ та Y(Ga,Ge)₂ досліджено з використанням модельних покриттів відповідних стопів на слюді. Аналіза температурних залежностей електроопору показала, що як сполука YGa₂, так і тверді розчини на її основі мають металічну провідність. Заміщення певної частини атомів Ґалію в сполуці YGa₂, що належить до структури типу AlB₂, на атоми Ґерманію, Силіцію або Алюмінію приводить до зменшення електроопору в ряду Ga → Ge → Si → Al, що може бути зумовлено як природою самих атомів, так і технологічними особливостями одержання покриттів (перш за все, їх гомогенністю). 2017 Article Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type / M.P. Semen’ko, N.M. Bilyavina, O.I. Nakonechna // Металлофизика и новейшие технологии. — 2017. — Т. 39, № 10. — С. 1299-1306. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. 1024-1809 PACS: 61.05.cp, 61.66.Dk, 68.37.Hk, 72.15.Eb, 73.61.At, 81.15.Ef, 81.40.Rs untranslated DOI: doi.org/10.15407/mfint.39.10.1299 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130438 en Металлофизика и новейшие технологии Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| topic |
Электронные структура и свойства Электронные структура и свойства |
| spellingShingle |
Электронные структура и свойства Электронные структура и свойства Semen’ko, M.P. Bilyavina, N.M. Nakonechna, O.I. Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type Металлофизика и новейшие технологии |
| description |
Electrical properties (resistivity and temperature coefficient of resistivity) of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ solid solutions are studied using the model coatings deposited on mica substrate. Analysis of temperature dependences of the resistivity reveals that YGa₂ compound as well as the solid solutions on its base possess a metallic conductivity. Substitution of a certain part of the gallium atoms in YGa₂ compound belonging to AlB₂-type structure with germanium, silicon or aluminium atoms leads to decrease of resistivity in the Ga → Ge → Si → Al series that may be caused by both the nature of atoms themselves and technological parameters of coatings’ preparation (primarily, by their homogeneity). |
| format |
Article |
| author |
Semen’ko, M.P. Bilyavina, N.M. Nakonechna, O.I. |
| author_facet |
Semen’ko, M.P. Bilyavina, N.M. Nakonechna, O.I. |
| author_sort |
Semen’ko, M.P. |
| title |
Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type |
| title_short |
Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type |
| title_full |
Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type |
| title_fullStr |
Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type |
| title_full_unstemmed |
Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type |
| title_sort |
electrical resistivity of the y(ga,al)₂, y(ga,si)₂ and y(ga,ge)₂ solid solutions with structure of alb₂ type |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| publishDate |
2017 |
| topic_facet |
Электронные структура и свойства |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130438 |
| citation_txt |
Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type / M.P. Semen’ko, N.M. Bilyavina, O.I. Nakonechna // Металлофизика и новейшие технологии. — 2017. — Т. 39, № 10. — С. 1299-1306. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
| series |
Металлофизика и новейшие технологии |
| work_keys_str_mv |
AT semenkomp electricalresistivityoftheygaal2ygasi2andygage2solidsolutionswithstructureofalb2type AT bilyavinanm electricalresistivityoftheygaal2ygasi2andygage2solidsolutionswithstructureofalb2type AT nakonechnaoi electricalresistivityoftheygaal2ygasi2andygage2solidsolutionswithstructureofalb2type |
| first_indexed |
2023-10-18T21:00:01Z |
| last_indexed |
2023-10-18T21:00:01Z |
| _version_ |
1796151660500746240 |