Высокоэффективное возбуждение ближнеполевого зонда на основе оптической плазмонной микрополосковой линии с использованием коннектора SU-8
Предложена и исследована конструкция эффективного торцевого соединения оптоволоконного зонда с ближнеполевым зондом на основе оптической плазмонной микрополосковой линии (БЗОПМЛ) с использованием коннектора SU-8. На основе численного анализа была проведена оптимизация предложенной конструкции коннек...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
2015
|
| Назва видання: | Реєстрація, зберігання і обробка даних |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/131530 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Высокоэффективное возбуждение ближнеполевого зонда на основе оптической плазмонной микрополосковой линии с использованием коннектора SU-8 / Е.М. Морозов, A.C. Лапчук // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2015. — Т. 17, № 1. — С. 16-27. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Предложена и исследована конструкция эффективного торцевого соединения оптоволоконного зонда с ближнеполевым зондом на основе оптической плазмонной микрополосковой линии (БЗОПМЛ) с использованием коннектора SU-8. На основе численного анализа была проведена оптимизация предложенной конструкции коннектора SU-8 и показано, что эффективность передачи энергии и пропускание коннектора SU-8 на длине волны лазерного излучения 405 нм составляют 79 % и 73 % соответственно. Рассчитанное значение эффективности возбуждения фундаментальной квази-ТМ00-моды в БЗОПМЛ составило 68 %. Предложенная конструкция соединения оптоволоконного зонда с БЗОПМЛ с использованием коннектора SU-8 и принцип ее оптимизации могут быть использованы при разработке ближнеполевых плазмонных устройств. |
|---|