2025-02-23T17:17:05-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-132659%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T17:17:05-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-132659%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T17:17:05-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T17:17:05-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Комплекс экспериментальных исследований электрических свойств горных пород в инертной среде
Детально описано конструкцію і розглянуто апаратурно-методичні особливості розробленого і реалізованого в Інституті геофізики НАН України автоматизованого вимірювального комплексу, призначеного для дослідження електричних параметрів мінеральної речовини за температур до 1100 °С у кисневмісному та ін...
Saved in:
Main Authors: | , , , |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Інститут геофізики ім. С.I. Субботіна НАН України
2018
|
Series: | Геофизический журнал |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/132659 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Summary: | Детально описано конструкцію і розглянуто апаратурно-методичні особливості розробленого і реалізованого в Інституті геофізики НАН України автоматизованого вимірювального комплексу, призначеного для дослідження електричних параметрів мінеральної речовини за температур до 1100 °С у кисневмісному та інертному середовищах. Наведено результати деяких експериментів, виконаних на етапі дослідних випробувань комплексу в температурному інтервалі від кімнатної до 700 °С. Досліджено та проаналізовано чинники, що впливають на характер отриманих температурно-частотних залежностей електричних параметрів зразків порід. Показано, що утворення оксидів у кисневмісному середовищі збільшує електричний опір. Різниця градієнта зміни величини r від температури, особливо в інтервалі 300.°500 °С, зумовлена тим, що електропровідність здійснюється в основному іонами домішок і дефектами кристалічної ґратки. За підвищення температури діелектрична проникність іонних кристалів зростає внаслідок ослаблення зв'язку між окремими іонами. Низькочастотна діелектрична проникність найчутливіша до деформаційних фазових переходів і є інформативнішим параметром, оскільки змінюється з найбільшим градієнтом. |
---|