Создание основ интегральной динамической дифрактометрии микро- и нанонеоднородностей структуры кристаллов с дефектами и нарушенным поверхностным слоем

Разработан и реализован практически на основе использования обнаруженных эффектов асимметрии азимутальной зависимости полной интегральной интенсивности динамической дифракции подход для неразрушающей диагностики профиля неоднородного распределения микродефектов в монокристаллах. В частности, впервые...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2017
Автори: Молодкин, В.Б., Низкова, А.И., Богданов, Е.И., Дмитриев, С.В., Лизунов, В.В., Скакунова, Е.С., Толмачев, Н.Г., Василик, Я.В., Карпов, А.Г., Войток, О.Г., Почекуев, В.П.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2017
Назва видання:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/133185
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Создание основ интегральной динамической дифрактометрии микро- и нанонеоднородностей структуры кристаллов с дефектами и нарушенным поверхностным слоем / В.Б. Молодкин, А.И. Низкова, Е.И. Богданов, С.В. Дмитриев, В.В. Лизунов, Е.С. Скакунова, Н.Г. Толмачев, Я.В. Василик, А.Г. Карпов, О.Г. Войток, В.П. Почекуев // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 2. — С. 261-275. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Разработан и реализован практически на основе использования обнаруженных эффектов асимметрии азимутальной зависимости полной интегральной интенсивности динамической дифракции подход для неразрушающей диагностики профиля неоднородного распределения микродефектов в монокристаллах. В частности, впервые получен профиль распределения микродефектов (преципитатов и дислокационных петель без ограничений на их размеры) по глубине динамически рассеивающего слоя монокристалла, а также показана принципиальная возможность и фактически определена кинетика изменения его сложной структуры после обработки высокоэнергетическими электронами.