Структура та електропровідність тонких плівок β-Ga₂O₃

• Дата: 2017
• Автори: Бордун, О.М., Бордун, Б.О., Кухарський, І.Й., Медвідь, І.І., Цаповська, Ж.Я., Леонов, Д.С.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2017
• Назва видання: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/133188
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Структура та електропровідність тонких плівок β-Ga₂O₃ / О.М. Бордун, Б.О. Бордун, І.Й. Кухарський, І.І. Медвідь, Ж.Я. Цаповська, Д.С. Леонов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 2. — С. 299-308. — Бібліогр.: 22 назв. — укр.

Досліджено структуру, фазовий склад і морфологію поверхні тонких плівок β-Ga₂O₃, одержаних методом високочастотного йонно-плазмового розпорошення. Встановлено, що свіжонапорошені плівки формуються з кристалітів, середній діяметер яких становить 30 нм. Відпал у атмосфері кисню, арґону та водню приводить до зростання середнього діяметра кристалітів до 47, 42 та 35 нм відповідно. Досліджено провідність одержаних плівок, залежно від атмосфери термооброблення. Показано, що після відпалу у відновній атмосфері водню відбувається значне зменшення питомого опору плівок від 10¹¹ Ом∙см для свіжонанесених плівок до 10⁶ Ом∙см.