Структура та електропровідність тонких плівок β-Ga₂O₃
Досліджено структуру, фазовий склад і морфологію поверхні тонких плівок β-Ga₂O₃, одержаних методом високочастотного йонно-плазмового розпорошення. Встановлено, що свіжонапорошені плівки формуються з кристалітів, середній діяметер яких становить 30 нм. Відпал у атмосфері кисню, арґону та водню привод...
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2017
|
| Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/133188 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Структура та електропровідність тонких плівок β-Ga₂O₃ / О.М. Бордун, Б.О. Бордун, І.Й. Кухарський, І.І. Медвідь, Ж.Я. Цаповська, Д.С. Леонов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 2. — С. 299-308. — Бібліогр.: 22 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-133188 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1331882018-05-22T03:03:07Z Структура та електропровідність тонких плівок β-Ga₂O₃ Бордун, О.М. Бордун, Б.О. Кухарський, І.Й. Медвідь, І.І. Цаповська, Ж.Я. Леонов, Д.С. Досліджено структуру, фазовий склад і морфологію поверхні тонких плівок β-Ga₂O₃, одержаних методом високочастотного йонно-плазмового розпорошення. Встановлено, що свіжонапорошені плівки формуються з кристалітів, середній діяметер яких становить 30 нм. Відпал у атмосфері кисню, арґону та водню приводить до зростання середнього діяметра кристалітів до 47, 42 та 35 нм відповідно. Досліджено провідність одержаних плівок, залежно від атмосфери термооброблення. Показано, що після відпалу у відновній атмосфері водню відбувається значне зменшення питомого опору плівок від 10¹¹ Ом∙см для свіжонанесених плівок до 10⁶ Ом∙см. Исследованы структура, фазовый состав и морфология поверхности тонких плёнок β-Ga₂O₃, полученных методом высокочастотного ионноплазменного распыления. Установлено, что свеженанесённые плёнки формируются из кристаллитов, средний диаметр которых составляет 30 нм. Отжиг в атмосфере кислорода, аргона и водорода приводит к увеличению среднего диаметра кристаллитов до 47, 42 и 35 нм соответственно. Исследована проводимость полученных плёнок в зависимости от атмосферы термообработки. Показано, что после отжига в восстановительной атмосфере водорода происходит значительное уменьшение удельного сопротивления плёнок от 10¹¹ Ом∙см для свеженанесённых плёнок до 10⁶ Ом∙см. The structure, phase composition, and surface morphology of the thin -Ga₂O₃ films obtained by high-frequency ion-plasma sputtering are investigated. As revealed, the freshly deposited films are formed from crystallites with average diameter of 30 nm. As established, annealing in atmosphere of oxygen, argon, and hydrogen leads to increase in the average diameter of crystallites to 47, 42 and 35 nm, respectively. Conductivity, photoconductivity, and luminescence properties of the thin β-Ga₂O₃ films deposited by highfrequency ion-plasma sputtering are investigated depending on conditions and atmosphere of heat treatment. As found, after annealing in a reducing atmosphere of hydrogen, there is a significant decrease in the resistivity of films from 10¹¹ Ohm∙cm for the freshly prepared films to 10⁶ Ohm∙cm. 2017 Article Структура та електропровідність тонких плівок β-Ga₂O₃ / О.М. Бордун, Б.О. Бордун, І.Й. Кухарський, І.І. Медвідь, Ж.Я. Цаповська, Д.С. Леонов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 2. — С. 299-308. — Бібліогр.: 22 назв. — укр. 1816-5230 PACS: 61.05.cp, 61.72.J-, 68.35.Ct, 68.37.Ps, 68.55.J-, 72.20.-i, 81.15.Cd http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/133188 uk Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| description |
Досліджено структуру, фазовий склад і морфологію поверхні тонких плівок β-Ga₂O₃, одержаних методом високочастотного йонно-плазмового розпорошення. Встановлено, що свіжонапорошені плівки формуються з кристалітів, середній діяметер яких становить 30 нм. Відпал у атмосфері кисню, арґону та водню приводить до зростання середнього діяметра кристалітів до 47, 42 та 35 нм відповідно. Досліджено провідність одержаних плівок, залежно від атмосфери термооброблення. Показано, що після відпалу у відновній атмосфері водню відбувається значне зменшення питомого опору плівок від 10¹¹ Ом∙см для свіжонанесених плівок до 10⁶ Ом∙см. |
| format |
Article |
| author |
Бордун, О.М. Бордун, Б.О. Кухарський, І.Й. Медвідь, І.І. Цаповська, Ж.Я. Леонов, Д.С. |
| spellingShingle |
Бордун, О.М. Бордун, Б.О. Кухарський, І.Й. Медвідь, І.І. Цаповська, Ж.Я. Леонов, Д.С. Структура та електропровідність тонких плівок β-Ga₂O₃ Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| author_facet |
Бордун, О.М. Бордун, Б.О. Кухарський, І.Й. Медвідь, І.І. Цаповська, Ж.Я. Леонов, Д.С. |
| author_sort |
Бордун, О.М. |
| title |
Структура та електропровідність тонких плівок β-Ga₂O₃ |
| title_short |
Структура та електропровідність тонких плівок β-Ga₂O₃ |
| title_full |
Структура та електропровідність тонких плівок β-Ga₂O₃ |
| title_fullStr |
Структура та електропровідність тонких плівок β-Ga₂O₃ |
| title_full_unstemmed |
Структура та електропровідність тонких плівок β-Ga₂O₃ |
| title_sort |
структура та електропровідність тонких плівок β-ga₂o₃ |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| publishDate |
2017 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/133188 |
| citation_txt |
Структура та електропровідність тонких плівок β-Ga₂O₃ / О.М. Бордун, Б.О. Бордун, І.Й. Кухарський, І.І. Медвідь, Ж.Я. Цаповська, Д.С. Леонов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 2. — С. 299-308. — Бібліогр.: 22 назв. — укр. |
| series |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| work_keys_str_mv |
AT bordunom strukturataelektroprovídnístʹtonkihplívokbga2o3 AT bordunbo strukturataelektroprovídnístʹtonkihplívokbga2o3 AT kuharsʹkijíj strukturataelektroprovídnístʹtonkihplívokbga2o3 AT medvídʹíí strukturataelektroprovídnístʹtonkihplívokbga2o3 AT capovsʹkažâ strukturataelektroprovídnístʹtonkihplívokbga2o3 AT leonovds strukturataelektroprovídnístʹtonkihplívokbga2o3 |
| first_indexed |
2023-10-18T21:05:32Z |
| last_indexed |
2023-10-18T21:05:32Z |
| _version_ |
1796151902506844160 |