СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
Разработана специализированная СБИС для микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов нового поколения — многокристальных детекторов с расширенным полем анализа, которые могут использоваться в масс-спектрометрах и обеспечивать одновременное определение элементов, входящих в состав вещества,...
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автори: | , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/133229 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии / В.П. Сидоренко, А.И. Радкевич, Ю.В. Прокофьев, Ю.В. Таякин, Т.М. Вирозуб // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 1. — С. 13-20. — Бібліогр.: 7назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-133229 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-1332292018-05-22T03:03:53Z СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии Сидоренко, В.П. Радкевич, А.И. Прокофьев, Ю.В. Таякин, Ю.В. Вирозуб, Т.М. Функциональная микро- и наноэлектроника Разработана специализированная СБИС для микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов нового поколения — многокристальных детекторов с расширенным полем анализа, которые могут использоваться в масс-спектрометрах и обеспечивать одновременное определение элементов, входящих в состав вещества, с высокой чувствительностью и точностью. СБИС спроектирована на основе современной КМОП-технологии с проектными нормами 1,0 мкм, что позволило получить частоту подсчета импульсов более 15 МГц, быстродействие в режиме считывания 10 МГц, разрядность счетчиков 16. Розроблено спеціалізовану надвелику інтегральну схему (НВІС) для приладів МКЧД нового покоління — багатокристальних детекторів з розширеним полем аналізу і більш високими технічними характеристиками, які можуть використовуватися в приладах елементного аналізу речовини, забезпечуючи одночасний аналіз елементного складу з високою чутливістю і точністю. VLSI chip contains 384 channels with a spatial resolution of 25 microns has been integrated onto a single chip, each channel has a metal anode to collect the electrons as they emerge from the microchannel plate electron multiplier (MCP); a charge sensitive amplifier to produce a digital signal in response to the electron pulse and a 16-bit counter associated with it to accumulate the counts as they arrive and circuitry to read out the data sequentially from all channels in the microcircuit. The VLSI chip is designed according to the design rules standard 1,0 μm CMOS process. The speed of the microcircuit in the counting mode is at least 15 MHz, in the mode of reading information from the counters - more than 10 MHz. 2018 Article СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии / В.П. Сидоренко, А.И. Радкевич, Ю.В. Прокофьев, Ю.В. Таякин, Т.М. Вирозуб // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 1. — С. 13-20. — Бібліогр.: 7назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2018.1.13 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/133229 621.3.049.77: 681.325 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника |
spellingShingle |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника Сидоренко, В.П. Радкевич, А.И. Прокофьев, Ю.В. Таякин, Ю.В. Вирозуб, Т.М. СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
description |
Разработана специализированная СБИС для микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов нового поколения — многокристальных детекторов с расширенным полем анализа, которые могут использоваться в масс-спектрометрах и обеспечивать одновременное определение элементов, входящих в состав вещества, с высокой чувствительностью и точностью. СБИС спроектирована на основе современной КМОП-технологии с проектными нормами 1,0 мкм, что позволило получить частоту подсчета импульсов более 15 МГц, быстродействие в режиме считывания 10 МГц, разрядность счетчиков 16. |
format |
Article |
author |
Сидоренко, В.П. Радкевич, А.И. Прокофьев, Ю.В. Таякин, Ю.В. Вирозуб, Т.М. |
author_facet |
Сидоренко, В.П. Радкевич, А.И. Прокофьев, Ю.В. Таякин, Ю.В. Вирозуб, Т.М. |
author_sort |
Сидоренко, В.П. |
title |
СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии |
title_short |
СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии |
title_full |
СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии |
title_fullStr |
СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии |
title_full_unstemmed |
СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии |
title_sort |
сбис для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии |
publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
publishDate |
2018 |
topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/133229 |
citation_txt |
СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии / В.П. Сидоренко, А.И. Радкевич, Ю.В. Прокофьев, Ю.В. Таякин, Т.М. Вирозуб // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 1. — С. 13-20. — Бібліогр.: 7назв. — рос. |
series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
work_keys_str_mv |
AT sidorenkovp sbisdlâmikroélektronnogokoordinatnočuvstvitelʹnogodetektoranovogopokoleniâsrasširennympolemanalizadlâmassspektrometrii AT radkevičai sbisdlâmikroélektronnogokoordinatnočuvstvitelʹnogodetektoranovogopokoleniâsrasširennympolemanalizadlâmassspektrometrii AT prokofʹevûv sbisdlâmikroélektronnogokoordinatnočuvstvitelʹnogodetektoranovogopokoleniâsrasširennympolemanalizadlâmassspektrometrii AT taâkinûv sbisdlâmikroélektronnogokoordinatnočuvstvitelʹnogodetektoranovogopokoleniâsrasširennympolemanalizadlâmassspektrometrii AT virozubtm sbisdlâmikroélektronnogokoordinatnočuvstvitelʹnogodetektoranovogopokoleniâsrasširennympolemanalizadlâmassspektrometrii |
first_indexed |
2023-10-18T21:05:37Z |
last_indexed |
2023-10-18T21:05:37Z |
_version_ |
1796151906631942144 |