СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии

Разработана специализированная СБИС для микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов нового поколения — многокристальных детекторов с расширенным полем анализа, которые могут использоваться в масс-спектрометрах и обеспечивать одновременное определение элементов, входящих в состав вещества,...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2018
Автори: Сидоренко, В.П., Радкевич, А.И., Прокофьев, Ю.В., Таякин, Ю.В., Вирозуб, Т.М.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/133229
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии / В.П. Сидоренко, А.И. Радкевич, Ю.В. Прокофьев, Ю.В. Таякин, Т.М. Вирозуб // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 1. — С. 13-20. — Бібліогр.: 7назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-133229
record_format dspace
spelling irk-123456789-1332292018-05-22T03:03:53Z СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии Сидоренко, В.П. Радкевич, А.И. Прокофьев, Ю.В. Таякин, Ю.В. Вирозуб, Т.М. Функциональная микро- и наноэлектроника Разработана специализированная СБИС для микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов нового поколения — многокристальных детекторов с расширенным полем анализа, которые могут использоваться в масс-спектрометрах и обеспечивать одновременное определение элементов, входящих в состав вещества, с высокой чувствительностью и точностью. СБИС спроектирована на основе современной КМОП-технологии с проектными нормами 1,0 мкм, что позволило получить частоту подсчета импульсов более 15 МГц, быстродействие в режиме считывания 10 МГц, разрядность счетчиков 16. Розроблено спеціалізовану надвелику інтегральну схему (НВІС) для приладів МКЧД нового покоління — багатокристальних детекторів з розширеним полем аналізу і більш високими технічними характеристиками, які можуть використовуватися в приладах елементного аналізу речовини, забезпечуючи одночасний аналіз елементного складу з високою чутливістю і точністю. VLSI chip contains 384 channels with a spatial resolution of 25 microns has been integrated onto a single chip, each channel has a metal anode to collect the electrons as they emerge from the microchannel plate electron multiplier (MCP); a charge sensitive amplifier to produce a digital signal in response to the electron pulse and a 16-bit counter associated with it to accumulate the counts as they arrive and circuitry to read out the data sequentially from all channels in the microcircuit. The VLSI chip is designed according to the design rules standard 1,0 μm CMOS process. The speed of the microcircuit in the counting mode is at least 15 MHz, in the mode of reading information from the counters - more than 10 MHz. 2018 Article СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии / В.П. Сидоренко, А.И. Радкевич, Ю.В. Прокофьев, Ю.В. Таякин, Т.М. Вирозуб // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 1. — С. 13-20. — Бібліогр.: 7назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2018.1.13 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/133229 621.3.049.77: 681.325 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
Функциональная микро- и наноэлектроника
spellingShingle Функциональная микро- и наноэлектроника
Функциональная микро- и наноэлектроника
Сидоренко, В.П.
Радкевич, А.И.
Прокофьев, Ю.В.
Таякин, Ю.В.
Вирозуб, Т.М.
СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Разработана специализированная СБИС для микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов нового поколения — многокристальных детекторов с расширенным полем анализа, которые могут использоваться в масс-спектрометрах и обеспечивать одновременное определение элементов, входящих в состав вещества, с высокой чувствительностью и точностью. СБИС спроектирована на основе современной КМОП-технологии с проектными нормами 1,0 мкм, что позволило получить частоту подсчета импульсов более 15 МГц, быстродействие в режиме считывания 10 МГц, разрядность счетчиков 16.
format Article
author Сидоренко, В.П.
Радкевич, А.И.
Прокофьев, Ю.В.
Таякин, Ю.В.
Вирозуб, Т.М.
author_facet Сидоренко, В.П.
Радкевич, А.И.
Прокофьев, Ю.В.
Таякин, Ю.В.
Вирозуб, Т.М.
author_sort Сидоренко, В.П.
title СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
title_short СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
title_full СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
title_fullStr СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
title_full_unstemmed СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
title_sort сбис для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2018
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/133229
citation_txt СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии / В.П. Сидоренко, А.И. Радкевич, Ю.В. Прокофьев, Ю.В. Таякин, Т.М. Вирозуб // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 1. — С. 13-20. — Бібліогр.: 7назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT sidorenkovp sbisdlâmikroélektronnogokoordinatnočuvstvitelʹnogodetektoranovogopokoleniâsrasširennympolemanalizadlâmassspektrometrii
AT radkevičai sbisdlâmikroélektronnogokoordinatnočuvstvitelʹnogodetektoranovogopokoleniâsrasširennympolemanalizadlâmassspektrometrii
AT prokofʹevûv sbisdlâmikroélektronnogokoordinatnočuvstvitelʹnogodetektoranovogopokoleniâsrasširennympolemanalizadlâmassspektrometrii
AT taâkinûv sbisdlâmikroélektronnogokoordinatnočuvstvitelʹnogodetektoranovogopokoleniâsrasširennympolemanalizadlâmassspektrometrii
AT virozubtm sbisdlâmikroélektronnogokoordinatnočuvstvitelʹnogodetektoranovogopokoleniâsrasširennympolemanalizadlâmassspektrometrii
first_indexed 2023-10-18T21:05:37Z
last_indexed 2023-10-18T21:05:37Z
_version_ 1796151906631942144