Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
Сцинтилляторы на основе ZnSxSe1–x являются перспективными люминесцентными материалами для рентгеновских и гамма-детекторов. В работе исследовано влияние содержания серы на основные свойства объемных кристаллов ZnSxSe1–x, выращенных методом Бриджмена — Стокбаргера, с различным содержанием компонентов...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/133232 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x / O.Г. Трубаева, M.A. Чайка, O.В. Зеленская, А.И. Лалаянц, С.Н. Галкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 1. — С. 36-42. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-133232 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1332322018-05-22T03:03:21Z Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x Трубаева, O.Г. Чайка, M.A. Зеленская, O.В. Лалаянц, А.И. Галкин, С.Н. Материалы электроники Сцинтилляторы на основе ZnSxSe1–x являются перспективными люминесцентными материалами для рентгеновских и гамма-детекторов. В работе исследовано влияние содержания серы на основные свойства объемных кристаллов ZnSxSe1–x, выращенных методом Бриджмена — Стокбаргера, с различным содержанием компонентов (х = 0,07—0,39) и установлено, что интенсивность спектров рентгенолюминесценции максимальна при х = 0,22. Также показано, что по сравнению с коммерческими кристаллами ZnSe(Te) и ZnSe(Al) смешанные кристаллы ZnSxSe1–x обладают более высоким световыходом и лучшей термической стабильностью. В даній роботі було досліджено вплив вмісту сірки на основні властивості об'ємних кристалів ZnSxSe1–x і проведено порівняння їх властивостей з властивостями кристалів ZnSe, ZnSe (Al), ZnSe (Te). Зразки для досліджень були вирощені методом Бріджмена — Стокбаргера в графітових тиглях діаметром 25 мм під тиском інертного газу (Ar, P = 10⁷—10⁹ Па) при температурі 1870—2000 К залежно від складу вихідної шихти. Отримано об'ємні кристали ZnSxSe1–x з різним вмістом компонентів: при х = 0,05; 0,10; 0,15; 0,20; 0,25; 0,30. Встановлено, що сцинтиляційні властивості досліджених кристалів залежать від вмісту сірки, а кращі параметри були отримані при х = 0,22, тобто для зразків ZnS0,22Se0,78. Було показано, що максимум смуги рентгенолюмінесценції знаходиться в області 584—591 нм, що відповідає максимальній чутливості кремнієвих фотодіодів. Виявлено, що інтенсивність рентгенолюмінесценції кристалів зростає зі збільшенням вмісту сірки і досягає максимуму для складу ZnS0,22Se0,78. ZnSxSe1–x based luminescent materials are promising for use as X-ray and γ-ray detectors. The main advantage of ZnSxSe1–x crystals is the possibility of making of solid solutions over an entire X-range. It was found that varying the composition of ZnSxSe1–x crystals can change their luminescent properties. Many studies were focused on obtaining ZnSxSe1–x mixed crystals, most using a vapour phase growth methods, and only some of works used the directional solidification. The directional solidification techniques allow growing large ZnSxSe1–x crystals for high-energy particles detectors. Practical use, however, requires the knowledge about luminescent properties of ZnSxSe1–x bulk crystals. 2018 Article Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x / O.Г. Трубаева, M.A. Чайка, O.В. Зеленская, А.И. Лалаянц, С.Н. Галкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 1. — С. 36-42. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2017.1.36 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/133232 535-34; 535-36 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы электроники Материалы электроники |
| spellingShingle |
Материалы электроники Материалы электроники Трубаева, O.Г. Чайка, M.A. Зеленская, O.В. Лалаянц, А.И. Галкин, С.Н. Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Сцинтилляторы на основе ZnSxSe1–x являются перспективными люминесцентными материалами для рентгеновских и гамма-детекторов. В работе исследовано влияние содержания серы на основные свойства объемных кристаллов ZnSxSe1–x, выращенных методом Бриджмена — Стокбаргера, с различным содержанием компонентов (х = 0,07—0,39) и установлено, что интенсивность спектров рентгенолюминесценции максимальна при х = 0,22. Также показано, что по сравнению с коммерческими кристаллами ZnSe(Te) и ZnSe(Al) смешанные кристаллы ZnSxSe1–x обладают более высоким световыходом и лучшей термической стабильностью. |
| format |
Article |
| author |
Трубаева, O.Г. Чайка, M.A. Зеленская, O.В. Лалаянц, А.И. Галкин, С.Н. |
| author_facet |
Трубаева, O.Г. Чайка, M.A. Зеленская, O.В. Лалаянц, А.И. Галкин, С.Н. |
| author_sort |
Трубаева, O.Г. |
| title |
Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x |
| title_short |
Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x |
| title_full |
Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x |
| title_fullStr |
Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x |
| title_full_unstemmed |
Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x |
| title_sort |
влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов znsxse1–x |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2018 |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/133232 |
| citation_txt |
Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x / O.Г. Трубаева, M.A. Чайка, O.В. Зеленская, А.И. Лалаянц, С.Н. Галкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 1. — С. 36-42. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT trubaevaog vliâniesoderžaniâserynascintillâcionnyesvojstvasmešannyhkristallovznsxse1x AT čajkama vliâniesoderžaniâserynascintillâcionnyesvojstvasmešannyhkristallovznsxse1x AT zelenskaâov vliâniesoderžaniâserynascintillâcionnyesvojstvasmešannyhkristallovznsxse1x AT lalaâncai vliâniesoderžaniâserynascintillâcionnyesvojstvasmešannyhkristallovznsxse1x AT galkinsn vliâniesoderžaniâserynascintillâcionnyesvojstvasmešannyhkristallovznsxse1x |
| first_indexed |
2023-10-18T21:05:38Z |
| last_indexed |
2023-10-18T21:05:38Z |
| _version_ |
1796151906954903552 |