Двухчастотный метод определения активного сопротивления факельного разряда в рамках эквивалентной схемы М. С. Неймана, дополненной эквивалентной индуктивностью разряда
Актуальность рассмотренной задачи обусловлена возможностью применения факельного разряда (ФР) для решения множества полезных прикладных задач и значительным отставанием практико-ориентированных теоретических его исследований. В данной работе рассмотрен предложенный автором оригинальный метод измерен...
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автор: | Пузанов, А.О. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2018
|
Назва видання: | Радіофізика та електроніка |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/133475 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Двухчастотный метод определения активного сопротивления факельного разряда в рамках эквивалентной схемы М. С. Неймана, дополненной эквивалентной индуктивностью разряда / А.О. Пузанов // Радіофізика та електроніка. — 2018. — Т. 23, № 1. — С. 61-70. — Бібліогр.: 30 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Численный анализ двухчастотного метода измерения активного сопротивления факельного разряда с учетом и без учета его эквивалентной индуктивности
за авторством: Пузанов, А.О.
Опубліковано: (2018) -
Активное сопротивление факельного разряда и частотная зависимость наименьшего для его поддержания напряжения ВЧ-генератора
за авторством: Пузанов, А.О., та інші
Опубліковано: (2014) -
Влияние времени синтеза активного вещества и интенсивности прокачки на параметры терагерцевого газоразрядного HCN-лазера
за авторством: Киселев, В.К., та інші
Опубліковано: (2009) -
Сверхизлучение нанолазеров в информационно-измерительных процедурах
за авторством: Мачехин, Ю.П., та інші
Опубліковано: (2018) -
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2007)