Базова кінетична модель рентгенопровідності широкозонних напівпровідників

При реєстрацiї рентгенiвського кванта напiвпровiдниковим детектором вiдбувається генерацiя вiльних носiїв заряду в невеликому об’ємi (дiаметр < 0,5 мкм). Якщо до електродiв напiвпровiдника прикласти рiзницю потенцiалiв, то вiдбувається направлений рух згенерованих вiльних носiїв та вiдповiдний iм...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Відділення фізики і астрономії НАН України
Дата:2010
Автори: Дегода, В.Я., Софієнко, А.О.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Відділення фізики і астрономії НАН України 2010
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/13383
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Базова кінетична модель рентгенопровідності широкозонних напівпровідників / В.Я. Дегода, А.О. Софієнко // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 2. — С. 201-207. — Бібліогр.: 21 назв. — укр.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:При реєстрацiї рентгенiвського кванта напiвпровiдниковим детектором вiдбувається генерацiя вiльних носiїв заряду в невеликому об’ємi (дiаметр < 0,5 мкм). Якщо до електродiв напiвпровiдника прикласти рiзницю потенцiалiв, то вiдбувається направлений рух згенерованих вiльних носiїв та вiдповiдний iмпульс струму в зовнiшньому колi. Запропоновано логiчну схему побудови базової кiнетичної моделi рентгенопровiдностi напiвпровiдникiв, яка застосовує послiдовний у часi розрахунок просторових розподiлiв вiльних носiїв заряду та використовує дифузiйно-дрейфову модель руху вiльних носiїв у твердому тiлi. Отримано базову форму iмпульсу струму у зовнiшньому колi в аналiтичному виглядi для випадку iдеального напiвпровiдника, тобто такого, що не мiстить глибоких пасток i центрiв рекомбiнацiї. Одержано основнi залежностi форми iмпульсу струму вiд мiсця поглинання рентгенiвського кванта та величини прикладеного електричного поля.