Базова кінетична модель рентгенопровідності широкозонних напівпровідників

Базова кінетична модель рентгенопровідності широкозонних напівпровідників

При реєстрацiї рентгенiвського кванта напiвпровiдниковим детектором вiдбувається генерацiя вiльних носiїв заряду в невеликому об’ємi (дiаметр < 0,5 мкм). Якщо до електродiв напiвпровiдника прикласти рiзницю потенцiалiв, то вiдбувається направлений рух згенерованих вiльних носiїв та вiдповiдний iм...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: Дегода, В.Я., Софієнко, А.О.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Відділення фізики і астрономії НАН України 2010
Теми:
Тверде тіло
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/13383
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Базова кінетична модель рентгенопровідності широкозонних напівпровідників / В.Я. Дегода, А.О. Софієнко // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 2. — С. 201-207. — Бібліогр.: 21 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-13383
record_format dspace
spelling irk-123456789-133832010-11-08T12:02:56Z Базова кінетична модель рентгенопровідності широкозонних напівпровідників Дегода, В.Я. Софієнко, А.О. Тверде тіло При реєстрацiї рентгенiвського кванта напiвпровiдниковим детектором вiдбувається генерацiя вiльних носiїв заряду в невеликому об’ємi (дiаметр < 0,5 мкм). Якщо до електродiв напiвпровiдника прикласти рiзницю потенцiалiв, то вiдбувається направлений рух згенерованих вiльних носiїв та вiдповiдний iмпульс струму в зовнiшньому колi. Запропоновано логiчну схему побудови базової кiнетичної моделi рентгенопровiдностi напiвпровiдникiв, яка застосовує послiдовний у часi розрахунок просторових розподiлiв вiльних носiїв заряду та використовує дифузiйно-дрейфову модель руху вiльних носiїв у твердому тiлi. Отримано базову форму iмпульсу струму у зовнiшньому колi в аналiтичному виглядi для випадку iдеального напiвпровiдника, тобто такого, що не мiстить глибоких пасток i центрiв рекомбiнацiї. Одержано основнi залежностi форми iмпульсу струму вiд мiсця поглинання рентгенiвського кванта та величини прикладеного електричного поля. При регистрации рентгеновского кванта полупроводниковым детектором происходит генерация свободных носителей заряда в небольшом объеме (диаметр < 0,5 мкм). Если к электродам полупроводника приложить разницу потенциалов, то происходит направленное движение сгенерированных свободных носителей и появляется соответствующий импульс тока во внешней цепи. Предложена логическая схема построения базовой кинетической теории рентгенопроводимости полупроводников, которая применяет последовательный во времени расчет пространственных распределений свободных носителей заряда и использует диффузионно-дрейфовую модель движения свободных носителей в твердом теле. Получена базовая форма импульса тока во внешней электрической цепи в аналитическом виде для случая идеального полупроводника, т.е. такого, который не содержит глубокие ловушки и центры рекомбинации. A logical scheme for the development of a basic kinetic theory of Xray conductivity in semiconductors has been proposed. It includes the calculation of spatial distributions of free charge carriers at successive time moments and uses the model of diffusion-driven drift motion of free charge carriers in a solid. An analytic expression for the basic shape of a current pulse in the external circuit has been obtained in the case of ideal semiconductor, i.e., when it does not contain deep traps and recombination centers. Basic dependences of the current pulse shape on the coordinate of an X-ray quantum absorption event and the strength of an applied electric field have been obtained. 2010 Article Базова кінетична модель рентгенопровідності широкозонних напівпровідників / В.Я. Дегода, А.О. Софієнко // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 2. — С. 201-207. — Бібліогр.: 21 назв. — укр. 2071-0194 PACS 72.20.Jv, 64.7 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/13383 535.37 uk Відділення фізики і астрономії НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
topic Тверде тіло
Тверде тіло
spellingShingle Тверде тіло
Тверде тіло
Дегода, В.Я.
Софієнко, А.О.
Базова кінетична модель рентгенопровідності широкозонних напівпровідників
description При реєстрацiї рентгенiвського кванта напiвпровiдниковим детектором вiдбувається генерацiя вiльних носiїв заряду в невеликому об’ємi (дiаметр < 0,5 мкм). Якщо до електродiв напiвпровiдника прикласти рiзницю потенцiалiв, то вiдбувається направлений рух згенерованих вiльних носiїв та вiдповiдний iмпульс струму в зовнiшньому колi. Запропоновано логiчну схему побудови базової кiнетичної моделi рентгенопровiдностi напiвпровiдникiв, яка застосовує послiдовний у часi розрахунок просторових розподiлiв вiльних носiїв заряду та використовує дифузiйно-дрейфову модель руху вiльних носiїв у твердому тiлi. Отримано базову форму iмпульсу струму у зовнiшньому колi в аналiтичному виглядi для випадку iдеального напiвпровiдника, тобто такого, що не мiстить глибоких пасток i центрiв рекомбiнацiї. Одержано основнi залежностi форми iмпульсу струму вiд мiсця поглинання рентгенiвського кванта та величини прикладеного електричного поля.
format Article
author Дегода, В.Я.
Софієнко, А.О.
author_facet Дегода, В.Я.
Софієнко, А.О.
author_sort Дегода, В.Я.
title Базова кінетична модель рентгенопровідності широкозонних напівпровідників
title_short Базова кінетична модель рентгенопровідності широкозонних напівпровідників
title_full Базова кінетична модель рентгенопровідності широкозонних напівпровідників
title_fullStr Базова кінетична модель рентгенопровідності широкозонних напівпровідників
title_full_unstemmed Базова кінетична модель рентгенопровідності широкозонних напівпровідників
title_sort базова кінетична модель рентгенопровідності широкозонних напівпровідників
publisher Відділення фізики і астрономії НАН України
publishDate 2010
topic_facet Тверде тіло
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/13383
citation_txt Базова кінетична модель рентгенопровідності широкозонних напівпровідників / В.Я. Дегода, А.О. Софієнко // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 2. — С. 201-207. — Бібліогр.: 21 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT degodavâ bazovakínetičnamodelʹrentgenoprovídnostíširokozonnihnapívprovídnikív
AT sofíênkoao bazovakínetičnamodelʹrentgenoprovídnostíširokozonnihnapívprovídnikív
first_indexed 2023-10-18T16:51:09Z
last_indexed 2023-10-18T16:51:09Z
_version_ 1796140046694219776

Схожі ресурси