Базова кінетична модель рентгенопровідності широкозонних напівпровідників
При реєстрацiї рентгенiвського кванта напiвпровiдниковим детектором вiдбувається генерацiя вiльних носiїв заряду в невеликому об’ємi (дiаметр < 0,5 мкм). Якщо до електродiв напiвпровiдника прикласти рiзницю потенцiалiв, то вiдбувається направлений рух згенерованих вiльних носiїв та вiдповiдний iм...
Збережено в:
| Видавець: | Відділення фізики і астрономії НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Відділення фізики і астрономії НАН України
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/13383 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Базова кінетична модель рентгенопровідності широкозонних напівпровідників / В.Я. Дегода, А.О. Софієнко // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 2. — С. 201-207. — Бібліогр.: 21 назв. — укр. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!