Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4
Дослiджено температурнi залежностi електропровiдностi, коефiцiєнт термо-ерс та спектральний розподiл фотопровiдностi твердих розчинiв AgCd2-xMnxGaSe4 з iзовалентним замiщенням Cd → Mn. Згiдно iз рентгенофазовим аналiзом у системi AgCd2-xMnxGaSe4 спостерiгається утворення протяжного твердого розчину,...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Відділення фізики і астрономії НАН України
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/13384 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4 / В.В. Божко, Л.В. Булатецька, Г.Є. Давидюк, О.В. Парасюк, В.П. Сачанюк, А.П. Третяк // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 2. — С. 208-211. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-13384 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-133842010-11-08T12:02:57Z Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4 Божко, В.В. Булатецька, Л.В. Давидюк, Г.Є. Парасюк, О.В. Сачанюк, В.П. Третяк, А.П. Тверде тіло Дослiджено температурнi залежностi електропровiдностi, коефiцiєнт термо-ерс та спектральний розподiл фотопровiдностi твердих розчинiв AgCd2-xMnxGaSe4 з iзовалентним замiщенням Cd → Mn. Згiдно iз рентгенофазовим аналiзом у системi AgCd2-xMnxGaSe4 спостерiгається утворення протяжного твердого розчину, граничний склад якого є AgCd0,74Mn1,26GaSe4. Проаналiзовано фотопровiднiсть сплавiв системи AgCd2-xMnxGaSe4. По максимуму власної фотопровiдностi оцiнено ширину забороненої зони при T ≈ 297 К. У межах однофазного твердого розчину вона збiльшується вiд ~ 1, 75 еВ для 100 мол.% AgCd2GaSe4–0 мол.% “AgMn2GaSe4” до 2,3 еВ для 40 мол.% AgCd2GaSe4–60 мол.% “AgMn2GaSe4”. Всi однофазнi твердi розчини фоточутливi з кратнiстю змiни провiдностi, при освiтленнi 103 лк, що дорiвнює ~ 10^1 - 10^3, в залежностi вiд компонентного складу зразка. Исследованы температурная зависимость электропроводности коэффициента термо-эдс и спектральное распределение фотопроводимости твердых растворов AgCd2-xMnxGaSe4 с изовалентным замещением Cd → Mn. В соответствии с рентгенофазовым анализом в системе AgCd2-xMnxGaSe4 наблюдается образование протяженного твердого раствора, предельным составом которого является AgCd0,74Mn1,26GaSe. Проанализирована фотопроводимость сплавов системы AgCd2-xMnxGaSe4. По максимуму собственной фотопроводимости оценена ширина запрещенной зоны при 297 К. В пределах твердого раствора она увеличивается от ~ 1,75 эВ для 100 мол.% AgCd2GaSe4–0 мол.% “AgMn2GaSe4” до 2,3 эВ для 40 мол.% AgCd2GaSe4–60 мол.% “AgMn2GaSe4”. Все однофазные твердые растворы фоточувствительные с кратностью изменения проводимости, при освещении 103 лк, равной ~ 10^1 - 10^3, в зависимости от компонентного состава образца. Temperature dependences of the conductivity coefficient and the thermal electromotive force, as well as the spectral distribution of photoconductivity, of AgCd2-xMnxGaSe4 solid solutions with the isovalent substitution Cd → Mn have been studied. The results of x-ray phase analysis of the AgCd2-xMnxGaSe4 system testify that an extensive solid solution with the limiting composition AgCd0,74Mn1,26GaSe emerges in it. The photoconductivity of AgCd2-xMnxGaSe4 alloys has been considered, and, by analyzing the position of intrinsic photoconductivity maximum, the band gap width at T ≈ 297 K has been evaluated. Within the solid solutions range, the gap width increases from about 1,75 eV for pure AgCd2GaSe4 to 2,3 eV for the composition containing 40 mol% AgCd2GaSe4 and 60 mol% “AgMn2GaSe4”. All the single-phase solid solutions turned out to be photosensitive with the multiplicity of conductivity variation at the 103-Lx illumination ranging from about 10 to 10^3, depending on the specimen composition. 2010 Article Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4 / В.В. Божко, Л.В. Булатецька, Г.Є. Давидюк, О.В. Парасюк, В.П. Сачанюк, А.П. Третяк // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 2. — С. 208-211. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. 2071-0194 PACS 72.80.Tm, 72.40.+w, http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/13384 621.315.592 uk Відділення фізики і астрономії НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| topic |
Тверде тіло Тверде тіло |
| spellingShingle |
Тверде тіло Тверде тіло Божко, В.В. Булатецька, Л.В. Давидюк, Г.Є. Парасюк, О.В. Сачанюк, В.П. Третяк, А.П. Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4 |
| description |
Дослiджено температурнi залежностi електропровiдностi, коефiцiєнт термо-ерс та спектральний розподiл фотопровiдностi твердих розчинiв AgCd2-xMnxGaSe4 з iзовалентним замiщенням Cd → Mn. Згiдно iз рентгенофазовим аналiзом у системi AgCd2-xMnxGaSe4 спостерiгається утворення протяжного твердого розчину, граничний склад якого є AgCd0,74Mn1,26GaSe4. Проаналiзовано фотопровiднiсть сплавiв системи AgCd2-xMnxGaSe4. По максимуму власної фотопровiдностi оцiнено ширину забороненої зони при T ≈ 297 К. У межах однофазного твердого розчину вона збiльшується вiд ~ 1, 75 еВ для 100 мол.% AgCd2GaSe4–0 мол.% “AgMn2GaSe4” до 2,3 еВ для 40 мол.% AgCd2GaSe4–60 мол.% “AgMn2GaSe4”. Всi однофазнi твердi розчини фоточутливi з кратнiстю змiни провiдностi, при освiтленнi 103 лк, що дорiвнює ~ 10^1 - 10^3, в залежностi вiд компонентного складу зразка. |
| format |
Article |
| author |
Божко, В.В. Булатецька, Л.В. Давидюк, Г.Є. Парасюк, О.В. Сачанюк, В.П. Третяк, А.П. |
| author_facet |
Божко, В.В. Булатецька, Л.В. Давидюк, Г.Є. Парасюк, О.В. Сачанюк, В.П. Третяк, А.П. |
| author_sort |
Божко, В.В. |
| title |
Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4 |
| title_short |
Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4 |
| title_full |
Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4 |
| title_fullStr |
Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4 |
| title_full_unstemmed |
Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4 |
| title_sort |
особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів agcd2-xmnxgase4 |
| publisher |
Відділення фізики і астрономії НАН України |
| publishDate |
2010 |
| topic_facet |
Тверде тіло |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/13384 |
| citation_txt |
Особливості електричних та фотоелектричних властивостей твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4 / В.В. Божко, Л.В. Булатецька, Г.Є. Давидюк, О.В. Парасюк, В.П. Сачанюк, А.П. Третяк // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 2. — С. 208-211. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT božkovv osoblivostíelektričnihtafotoelektričnihvlastivostejtverdihrozčinívagcd2xmnxgase4 AT bulatecʹkalv osoblivostíelektričnihtafotoelektričnihvlastivostejtverdihrozčinívagcd2xmnxgase4 AT davidûkgê osoblivostíelektričnihtafotoelektričnihvlastivostejtverdihrozčinívagcd2xmnxgase4 AT parasûkov osoblivostíelektričnihtafotoelektričnihvlastivostejtverdihrozčinívagcd2xmnxgase4 AT sačanûkvp osoblivostíelektričnihtafotoelektričnihvlastivostejtverdihrozčinívagcd2xmnxgase4 AT tretâkap osoblivostíelektričnihtafotoelektričnihvlastivostejtverdihrozčinívagcd2xmnxgase4 |
| first_indexed |
2023-10-18T16:51:09Z |
| last_indexed |
2023-10-18T16:51:09Z |
| _version_ |
1796140046801174528 |