Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound
Gallium arsenide and silicon substrates were exposed to cavitation impact induced by focusing a high frequency acoustic wave into liquid nitrogen. Optical and atomic force microscopy methods as well as energy dispersive X-ray spectroscopy were used for analysis of the surface morphology and chemical...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2012
|
| Назва видання: | Functional Materials |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/134037 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound / R.K. Savkina // Functional Materials. — 2012. — Т. 19, № 1. — С. 38-43. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-134037 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1340372018-06-12T03:04:18Z Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound Savkina, R.K. Characterization and properties Gallium arsenide and silicon substrates were exposed to cavitation impact induced by focusing a high frequency acoustic wave into liquid nitrogen. Optical and atomic force microscopy methods as well as energy dispersive X-ray spectroscopy were used for analysis of the surface morphology and chemical composition of semiconductor surface. Microstructures formation as well as change of the chemical composition of the surface was found. The morphology of the structures is highly dependent on the acoustic parameters. Зразки арсеніду галію і кремнію піддано впливу кавітації, збудженої у кріогенній рідині сфокусованим високочастотним ультразвуком. Морфологія поверхні оброблених зразків вивчалася методом оптичної та атомної силової мікроскопії, а також методом електронної мікроскопії з елементним аналізом. Виявлено утворення субмікронних структур і зміну хімічного складу поверхні. Морфологія структур залежить від акустичних параметрів. Образцы арсенида галлия и кремния подвергнуты воздействию кавитации, возбужденной в криогенной жидкости сфокусированным высокочастотным ультразвуком. Морфология поверхности обработанных образцов изучалась методом оптической и атомной силовой микроскопии, а также методом электронной микроскопии с элементным анализом. Обнаружено образование субмикронных структур и изменение химического состава поверхности. Морфология структур зависит от акустических параметров. 2012 Article Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound / R.K. Savkina // Functional Materials. — 2012. — Т. 19, № 1. — С. 38-43. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. 1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/134037 en Functional Materials НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| topic |
Characterization and properties Characterization and properties |
| spellingShingle |
Characterization and properties Characterization and properties Savkina, R.K. Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound Functional Materials |
| description |
Gallium arsenide and silicon substrates were exposed to cavitation impact induced by focusing a high frequency acoustic wave into liquid nitrogen. Optical and atomic force microscopy methods as well as energy dispersive X-ray spectroscopy were used for analysis of the surface morphology and chemical composition of semiconductor surface. Microstructures formation as well as change of the chemical composition of the surface was found. The morphology of the structures is highly dependent on the acoustic parameters. |
| format |
Article |
| author |
Savkina, R.K. |
| author_facet |
Savkina, R.K. |
| author_sort |
Savkina, R.K. |
| title |
Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound |
| title_short |
Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound |
| title_full |
Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound |
| title_fullStr |
Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound |
| title_full_unstemmed |
Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound |
| title_sort |
semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound |
| publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| publishDate |
2012 |
| topic_facet |
Characterization and properties |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/134037 |
| citation_txt |
Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound / R.K. Savkina // Functional Materials. — 2012. — Т. 19, № 1. — С. 38-43. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. |
| series |
Functional Materials |
| work_keys_str_mv |
AT savkinark semiconductorsurfacesstructurizationinducedbyultrasound |
| first_indexed |
2023-10-18T21:07:13Z |
| last_indexed |
2023-10-18T21:07:13Z |
| _version_ |
1796151976311914496 |