Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound
Gallium arsenide and silicon substrates were exposed to cavitation impact induced by focusing a high frequency acoustic wave into liquid nitrogen. Optical and atomic force microscopy methods as well as energy dispersive X-ray spectroscopy were used for analysis of the surface morphology and chemical...
Збережено в:
| Видавець: | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2012
|
| Назва видання: | Functional Materials |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/134037 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound / R.K. Savkina // Functional Materials. — 2012. — Т. 19, № 1. — С. 38-43. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. |