Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим

Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим

У роботi представлено результати аналiзу, якi пояснюють загальну тенденцiю в особливостях процесу поширення тепла в напiвпровiдникових структурах на основi Si з модифiкованими властивостями приповерхневого шару при опромiненнi їх коротким лазерним iмпульсом. Показано, що наявнiсть структурної неодно...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: Бурбело, Р.М., Ісаєв, М.В., Кузьмич, А.Г.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Відділення фізики і астрономії НАН України 2010
Теми:
Тверде тіло
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/13404
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим / Р.М. Бурбело, М.В. Ісаєв, А.Г. Кузьмич // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 3. — С. 318-322. — Бібліогр.: 7 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-13404
record_format dspace
spelling irk-123456789-134042010-11-09T12:01:56Z Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим Бурбело, Р.М. Ісаєв, М.В. Кузьмич, А.Г. Тверде тіло У роботi представлено результати аналiзу, якi пояснюють загальну тенденцiю в особливостях процесу поширення тепла в напiвпровiдникових структурах на основi Si з модифiкованими властивостями приповерхневого шару при опромiненнi їх коротким лазерним iмпульсом. Показано, що наявнiсть структурної неоднорiдностi (модифiкованого шару) та врахування впливу нелiнiйної залежностi коефiцiєнта температуропровiдностi приводить до суттєвої трансформацiї областi (її зменшення), локалiзацiї теплової енергiї та збiльшення температури в приповерхневому шарi матерiалу. В работе представлены результаты анализа, которые объясняют общую тенденцию процессов распространения тепла в полупроводниковых структурах на основе Si с модифицированными свойствами приповерхностного слоя при облучении их коротким лазерным импульсом. Показано, что наличие структурной неоднородности (модифицированного слоя) и учет нелинейной зависимости коэффициента температуропроводности приводит к существенной трансформации области (ее уменьшению) локализации тепловой энергии и увеличению температуры в приповерхностном слое образца. We present the results explaining the general tendency in peculiarities of the process of heat distribution in semiconductor structures with modified properties of the surface layer under a pulse laser irradiation. It is shown that the presence of a structural inhomogeneity (modified layer) and the influence of a nonlinear dependence of the thermal diffusivity coefficient result in both a substantial transformation of the area of localization (its decrease) of thermal energy and an increase of the surface temperature. 2010 Article Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим / Р.М. Бурбело, М.В. Ісаєв, А.Г. Кузьмич // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 3. — С. 318-322. — Бібліогр.: 7 назв. — укр. 2071-0194 PACS 65.40.-b http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/13404 535.16:534.341 uk Відділення фізики і астрономії НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
topic Тверде тіло
Тверде тіло
spellingShingle Тверде тіло
Тверде тіло
Бурбело, Р.М.
Ісаєв, М.В.
Кузьмич, А.Г.
Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим
description У роботi представлено результати аналiзу, якi пояснюють загальну тенденцiю в особливостях процесу поширення тепла в напiвпровiдникових структурах на основi Si з модифiкованими властивостями приповерхневого шару при опромiненнi їх коротким лазерним iмпульсом. Показано, що наявнiсть структурної неоднорiдностi (модифiкованого шару) та врахування впливу нелiнiйної залежностi коефiцiєнта температуропровiдностi приводить до суттєвої трансформацiї областi (її зменшення), локалiзацiї теплової енергiї та збiльшення температури в приповерхневому шарi матерiалу.
format Article
author Бурбело, Р.М.
Ісаєв, М.В.
Кузьмич, А.Г.
author_facet Бурбело, Р.М.
Ісаєв, М.В.
Кузьмич, А.Г.
author_sort Бурбело, Р.М.
title Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим
title_short Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим
title_full Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим
title_fullStr Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим
title_full_unstemmed Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим
title_sort формування температурних полів в легованих структурах на основі si при лазерному опроміненні: імпульсний режим
publisher Відділення фізики і астрономії НАН України
publishDate 2010
topic_facet Тверде тіло
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/13404
citation_txt Формування температурних полів в легованих структурах на основі Si при лазерному опроміненні: імпульсний режим / Р.М. Бурбело, М.В. Ісаєв, А.Г. Кузьмич // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 3. — С. 318-322. — Бібліогр.: 7 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT burbelorm formuvannâtemperaturnihpolívvlegovanihstrukturahnaosnovísiprilazernomuopromínenníímpulʹsnijrežim
AT ísaêvmv formuvannâtemperaturnihpolívvlegovanihstrukturahnaosnovísiprilazernomuopromínenníímpulʹsnijrežim
AT kuzʹmičag formuvannâtemperaturnihpolívvlegovanihstrukturahnaosnovísiprilazernomuopromínenníímpulʹsnijrežim
first_indexed 2023-10-18T16:51:12Z
last_indexed 2023-10-18T16:51:12Z
_version_ 1796140048937123840

Схожі ресурси