Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2010
|
| Назва видання: | Functional Materials |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/134161 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field / A.D. Shtan'ko, M.B. Litvinova, V.V. Kurak // Functional Materials. — 2010. — Т. 17, № 1. — С. 46-51. — Бібліогр.: 21 назв. — англ. |