Фотопровідність та фотопольова емісія в багатошарових Si/Ge гетероструктурах із квантовими точками
Дослiджено спектри поздовжньої фотопровiдностi та вольтампернi характеристики фотопольової електронної емiсiї багатошарових гетероструктур Ge/Si з квантовими точками SiGe. Зображення верхнього шару, зробленi за допомогою атомносилової мiкроскопiї, показали, що наноострiвцi мали форму тетраедральних...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Відділення фізики і астрономії НАН України
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/13426 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Фотопровідність та фотопольова емісія в багатошарових Si/Ge гетероструктурах із квантовими точками / С.В. Кондратенко, О.В. Вакуленко, Ю.М. Козирев, М.Ю. Рубежанська, О.А. Дадикін, А.Г. Наумовець, С. Хофер, С. Тайхерт // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 4. — С. 381-388. — Бібліогр.: 25 назв. — укр. |