Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current
We have investigated a relation between the impurity concentration and the leakage current for three types of InSb diodes. They were fabricated with different impurity concentrations on both sides of the junction such as p - n, p^+ - n; and p^+ - n+ in order to achieve the minimal level of noise. It...
Збережено в:
| Видавець: | Відділення фізики і астрономії НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Відділення фізики і астрономії НАН України
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/13432 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current / M. Moradi, M. Daraee, M. Hajian, M.A. Forghani, M. Rastgoo, A.O. Alipour // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 4. — С. 422-425. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-13432 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-134322010-11-09T12:01:51Z Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current Moradi, M. Daraee, M. Hajian, M. Forghani, M.A. Rastgoo, M. Alipour, A.O. Тверде тіло We have investigated a relation between the impurity concentration and the leakage current for three types of InSb diodes. They were fabricated with different impurity concentrations on both sides of the junction such as p - n, p^+ - n; and p^+ - n+ in order to achieve the minimal level of noise. It is shown that the leakage current at a low reverse bias has a minimum for the p^+ - n diode structure (impurity concentration of order of 2х10^15 cm^-3 for the n-type and 1х10^18 cm^-3 for the p-type). Increasing the impurity beyond these values may cause the tunneling at a low reverse bias voltage close to zero, and decreasing the impurity causes increasing the diffusion current. Дослiджено зв’язок мiж концентрацiєю домiшки та струму витоку для трьох типiв InSb дiодiв. Дiоди було виготовлено з рiзними концентрацiями домiшки на обох боках перехода, а саме p - n, p^+ - n та p^+ - n^+; щоб отримати найнижчий рiвень шумiв. Показано, що струм витоку має мiнiмальне значення при низьких зворотних напругах змiщення для p^+ - n структури (концентрацiя домiшки порядку 2 х 10^15 cм^-3 для n-типу та 1 х 10^18 cм^-3 для p-типу). Зростання концентрацiї домiшки понад цих значень може викликати тунелювання при малих зворотних напругах змiщення, тодi як при зменшеннi концентрацiї зростає дифузiйний струм. 2010 Article Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current / M. Moradi, M. Daraee, M. Hajian, M.A. Forghani, M. Rastgoo, A.O. Alipour // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 4. — С. 422-425. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. 2071-0194 PACS 71.20.Nr, 71.55.Eg http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/13432 en Відділення фізики і астрономії НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| topic |
Тверде тіло Тверде тіло |
| spellingShingle |
Тверде тіло Тверде тіло Moradi, M. Daraee, M. Hajian, M. Forghani, M.A. Rastgoo, M. Alipour, A.O. Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current |
| description |
We have investigated a relation between the impurity concentration and the leakage current for three types of InSb diodes. They were fabricated with different impurity concentrations on both sides of the junction such as p - n, p^+ - n; and p^+ - n+ in order to achieve the minimal level of noise. It is shown that the leakage current at a low reverse bias has a minimum for the p^+ - n diode structure (impurity concentration of order of 2х10^15 cm^-3 for the n-type and 1х10^18 cm^-3 for the p-type). Increasing the impurity beyond these values may cause the tunneling at a low reverse bias voltage close to zero, and decreasing the impurity causes increasing the diffusion current. |
| format |
Article |
| author |
Moradi, M. Daraee, M. Hajian, M. Forghani, M.A. Rastgoo, M. Alipour, A.O. |
| author_facet |
Moradi, M. Daraee, M. Hajian, M. Forghani, M.A. Rastgoo, M. Alipour, A.O. |
| author_sort |
Moradi, M. |
| title |
Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current |
| title_short |
Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current |
| title_full |
Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current |
| title_fullStr |
Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current |
| title_full_unstemmed |
Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current |
| title_sort |
optimum concentration of insb photodiode for minimum low reverse bias leakage current |
| publisher |
Відділення фізики і астрономії НАН України |
| publishDate |
2010 |
| topic_facet |
Тверде тіло |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/13432 |
| citation_txt |
Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current / M. Moradi, M. Daraee, M. Hajian, M.A. Forghani, M. Rastgoo, A.O. Alipour // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 4. — С. 422-425. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT moradim optimumconcentrationofinsbphotodiodeforminimumlowreversebiasleakagecurrent AT daraeem optimumconcentrationofinsbphotodiodeforminimumlowreversebiasleakagecurrent AT hajianm optimumconcentrationofinsbphotodiodeforminimumlowreversebiasleakagecurrent AT forghanima optimumconcentrationofinsbphotodiodeforminimumlowreversebiasleakagecurrent AT rastgoom optimumconcentrationofinsbphotodiodeforminimumlowreversebiasleakagecurrent AT alipourao optimumconcentrationofinsbphotodiodeforminimumlowreversebiasleakagecurrent |
| first_indexed |
2023-10-18T16:51:16Z |
| last_indexed |
2023-10-18T16:51:16Z |
| _version_ |
1796140051906691072 |