NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbₓ₋₁Cdₓl₂ semiconductors
The ¹²⁷l NQR spectra of semiconductor mixed crystals Pbₓ₋₁Cdₓl₂ at 77 K have been investigated. It is shown that at low values of Cdl₂ concentration, the intra-layer symmetry of the basic crystal becomes distorted considerably. This occurs due to formation of the intra-layer mechanical strains which...
Збережено в:
Дата: | 2008 |
---|---|
Автори: | , , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2008
|
Назва видання: | Functional Materials |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/134552 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbx-1CdxI2 semiconductors // Yu.P. Gnatenko, I.A. Beinik, A.I. Barabash, I.G. Vertegel, E.D. Chesnokov, A.I. Ovcharenko, L.S. Ivanova // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 2. — С. 175-177. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-134552 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-1345522018-06-14T03:05:29Z NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbₓ₋₁Cdₓl₂ semiconductors Gnatenko, Yu.P. Beinik, I.A. Barabash, A.I. Vertegel, I.G. Chesnokov, E.D. Ovcharenko, A.I. Ivanova, L.S. Characterization and properties The ¹²⁷l NQR spectra of semiconductor mixed crystals Pbₓ₋₁Cdₓl₂ at 77 K have been investigated. It is shown that at low values of Cdl₂ concentration, the intra-layer symmetry of the basic crystal becomes distorted considerably. This occurs due to formation of the intra-layer mechanical strains which are defined by the size difference between the main and impurity atoms (Pb and Cd, respectively). At x>0.10, intra-layer heterophasic two-dimensional Cdl₂ islets have been shown to be formed. The results are discussed that evidence the formation of amorphous glassy phase of the mixed Pbₓ₋₁Cdₓl₂ crystal at x>0.10. Досліджено спектри ¹²⁷l ЯКР нових напівпровідникових змішаних кристалів Pbₓ₋₁Cdₓl₂ при 77 К. Показано, що при низьких значеннях концентрації Cdl₂ відбувається значне викривлення внутрішньошарової симетрії базового кристала Pb₂ . Це є наслідком формування внутрішньошарових механічних напруг, котрі визначаються різницею розмірів основних та домішкових атомів (відповідно РЬ та Cd). Показано, що при х>0,1 утворюються внутрішньошарові гетерофазні (острівкові) структури Cdl₂. Обговорюються питання відносно утворення склоподібної фази змішаного кристала Pbₓ₋₁Cdₓl₂ при х>0,1. Исследованы спектры ¹²⁷l ЯКР новых полупроводниковых смешанных кристаллов Pbₓ₋₁Cdₓl₂ при 77 К. Показано, что при низких значениях концентрации Cdl₂ происходит существенное искажение внутрислоевой симметрии базового кристалла Pb₂. Это происходит благодаря формированию внутрислоевых механических напряжений, которые определяются различием размеров основных и примесных атомов (соответственно РЬ и Cd). Показано, что при х>0,10 образуются внутрислоевые гетерофазные (островковые) структуры Cdl₂. Обсуждаются результаты, указывающие на образование стеклоподобной аморфной фазы смешанного кристалла Pbₓ₋₁Cdₓl₂ при х>0,10. 2008 Article NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbx-1CdxI2 semiconductors // Yu.P. Gnatenko, I.A. Beinik, A.I. Barabash, I.G. Vertegel, E.D. Chesnokov, A.I. Ovcharenko, L.S. Ivanova // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 2. — С. 175-177. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. 1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/134552 en Functional Materials НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
English |
topic |
Characterization and properties Characterization and properties |
spellingShingle |
Characterization and properties Characterization and properties Gnatenko, Yu.P. Beinik, I.A. Barabash, A.I. Vertegel, I.G. Chesnokov, E.D. Ovcharenko, A.I. Ivanova, L.S. NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbₓ₋₁Cdₓl₂ semiconductors Functional Materials |
description |
The ¹²⁷l NQR spectra of semiconductor mixed crystals Pbₓ₋₁Cdₓl₂ at 77 K have been investigated. It is shown that at low values of Cdl₂ concentration, the intra-layer symmetry of the basic crystal becomes distorted considerably. This occurs due to formation of the intra-layer mechanical strains which are defined by the size difference between the main and impurity atoms (Pb and Cd, respectively). At x>0.10, intra-layer heterophasic two-dimensional Cdl₂ islets have been shown to be formed. The results are discussed that evidence the formation of amorphous glassy phase of the mixed Pbₓ₋₁Cdₓl₂ crystal at x>0.10. |
format |
Article |
author |
Gnatenko, Yu.P. Beinik, I.A. Barabash, A.I. Vertegel, I.G. Chesnokov, E.D. Ovcharenko, A.I. Ivanova, L.S. |
author_facet |
Gnatenko, Yu.P. Beinik, I.A. Barabash, A.I. Vertegel, I.G. Chesnokov, E.D. Ovcharenko, A.I. Ivanova, L.S. |
author_sort |
Gnatenko, Yu.P. |
title |
NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbₓ₋₁Cdₓl₂ semiconductors |
title_short |
NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbₓ₋₁Cdₓl₂ semiconductors |
title_full |
NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbₓ₋₁Cdₓl₂ semiconductors |
title_fullStr |
NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbₓ₋₁Cdₓl₂ semiconductors |
title_full_unstemmed |
NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbₓ₋₁Cdₓl₂ semiconductors |
title_sort |
nqr investigation of crystal structure peculiarities of layered pbₓ₋₁cdₓl₂ semiconductors |
publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
publishDate |
2008 |
topic_facet |
Characterization and properties |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/134552 |
citation_txt |
NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbx-1CdxI2 semiconductors // Yu.P. Gnatenko, I.A. Beinik, A.I. Barabash, I.G. Vertegel, E.D. Chesnokov, A.I. Ovcharenko, L.S. Ivanova // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 2. — С. 175-177. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
series |
Functional Materials |
work_keys_str_mv |
AT gnatenkoyup nqrinvestigationofcrystalstructurepeculiaritiesoflayeredpbx1cdxl2semiconductors AT beinikia nqrinvestigationofcrystalstructurepeculiaritiesoflayeredpbx1cdxl2semiconductors AT barabashai nqrinvestigationofcrystalstructurepeculiaritiesoflayeredpbx1cdxl2semiconductors AT vertegelig nqrinvestigationofcrystalstructurepeculiaritiesoflayeredpbx1cdxl2semiconductors AT chesnokoved nqrinvestigationofcrystalstructurepeculiaritiesoflayeredpbx1cdxl2semiconductors AT ovcharenkoai nqrinvestigationofcrystalstructurepeculiaritiesoflayeredpbx1cdxl2semiconductors AT ivanovals nqrinvestigationofcrystalstructurepeculiaritiesoflayeredpbx1cdxl2semiconductors |
first_indexed |
2023-10-18T21:08:31Z |
last_indexed |
2023-10-18T21:08:31Z |
_version_ |
1796152033011564544 |