NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbₓ₋₁Cdₓl₂ semiconductors

The ¹²⁷l NQR spectra of semiconductor mixed crystals Pbₓ₋₁Cdₓl₂ at 77 K have been investigated. It is shown that at low values of Cdl₂ concentration, the intra-layer symmetry of the basic crystal becomes distorted considerably. This occurs due to formation of the intra-layer mechanical strains which...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2008
Автори: Gnatenko, Yu.P., Beinik, I.A., Barabash, A.I., Vertegel, I.G., Chesnokov, E.D., Ovcharenko, A.I., Ivanova, L.S.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2008
Назва видання:Functional Materials
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/134552
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbx-1CdxI2 semiconductors // Yu.P. Gnatenko, I.A. Beinik, A.I. Barabash, I.G. Vertegel, E.D. Chesnokov, A.I. Ovcharenko, L.S. Ivanova // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 2. — С. 175-177. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-134552
record_format dspace
spelling irk-123456789-1345522018-06-14T03:05:29Z NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbₓ₋₁Cdₓl₂ semiconductors Gnatenko, Yu.P. Beinik, I.A. Barabash, A.I. Vertegel, I.G. Chesnokov, E.D. Ovcharenko, A.I. Ivanova, L.S. Characterization and properties The ¹²⁷l NQR spectra of semiconductor mixed crystals Pbₓ₋₁Cdₓl₂ at 77 K have been investigated. It is shown that at low values of Cdl₂ concentration, the intra-layer symmetry of the basic crystal becomes distorted considerably. This occurs due to formation of the intra-layer mechanical strains which are defined by the size difference between the main and impurity atoms (Pb and Cd, respectively). At x>0.10, intra-layer heterophasic two-dimensional Cdl₂ islets have been shown to be formed. The results are discussed that evidence the formation of amorphous glassy phase of the mixed Pbₓ₋₁Cdₓl₂ crystal at x>0.10. Досліджено спектри ¹²⁷l ЯКР нових напівпровідникових змішаних кристалів Pbₓ₋₁Cdₓl₂ при 77 К. Показано, що при низьких значеннях концентрації Cdl₂ відбувається значне викривлення внутрішньошарової симетрії базового кристала Pb₂ . Це є наслідком формування внутрішньошарових механічних напруг, котрі визначаються різницею розмірів основних та домішкових атомів (відповідно РЬ та Cd). Показано, що при х>0,1 утворюються внутрішньошарові гетерофазні (острівкові) структури Cdl₂. Обговорюються питання відносно утворення склоподібної фази змішаного кристала Pbₓ₋₁Cdₓl₂ при х>0,1. Исследованы спектры ¹²⁷l ЯКР новых полупроводниковых смешанных кристаллов Pbₓ₋₁Cdₓl₂ при 77 К. Показано, что при низких значениях концентрации Cdl₂ происходит существенное искажение внутрислоевой симметрии базового кристалла Pb₂. Это происходит благодаря формированию внутрислоевых механических напряжений, которые определяются различием размеров основных и примесных атомов (соответственно РЬ и Cd). Показано, что при х>0,10 образуются внутрислоевые гетерофазные (островковые) структуры Cdl₂. Обсуждаются результаты, указывающие на образование стеклоподобной аморфной фазы смешанного кристалла Pbₓ₋₁Cdₓl₂ при х>0,10. 2008 Article NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbx-1CdxI2 semiconductors // Yu.P. Gnatenko, I.A. Beinik, A.I. Barabash, I.G. Vertegel, E.D. Chesnokov, A.I. Ovcharenko, L.S. Ivanova // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 2. — С. 175-177. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. 1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/134552 en Functional Materials НТК «Інститут монокристалів» НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language English
topic Characterization and properties
Characterization and properties
spellingShingle Characterization and properties
Characterization and properties
Gnatenko, Yu.P.
Beinik, I.A.
Barabash, A.I.
Vertegel, I.G.
Chesnokov, E.D.
Ovcharenko, A.I.
Ivanova, L.S.
NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbₓ₋₁Cdₓl₂ semiconductors
Functional Materials
description The ¹²⁷l NQR spectra of semiconductor mixed crystals Pbₓ₋₁Cdₓl₂ at 77 K have been investigated. It is shown that at low values of Cdl₂ concentration, the intra-layer symmetry of the basic crystal becomes distorted considerably. This occurs due to formation of the intra-layer mechanical strains which are defined by the size difference between the main and impurity atoms (Pb and Cd, respectively). At x>0.10, intra-layer heterophasic two-dimensional Cdl₂ islets have been shown to be formed. The results are discussed that evidence the formation of amorphous glassy phase of the mixed Pbₓ₋₁Cdₓl₂ crystal at x>0.10.
format Article
author Gnatenko, Yu.P.
Beinik, I.A.
Barabash, A.I.
Vertegel, I.G.
Chesnokov, E.D.
Ovcharenko, A.I.
Ivanova, L.S.
author_facet Gnatenko, Yu.P.
Beinik, I.A.
Barabash, A.I.
Vertegel, I.G.
Chesnokov, E.D.
Ovcharenko, A.I.
Ivanova, L.S.
author_sort Gnatenko, Yu.P.
title NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbₓ₋₁Cdₓl₂ semiconductors
title_short NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbₓ₋₁Cdₓl₂ semiconductors
title_full NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbₓ₋₁Cdₓl₂ semiconductors
title_fullStr NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbₓ₋₁Cdₓl₂ semiconductors
title_full_unstemmed NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbₓ₋₁Cdₓl₂ semiconductors
title_sort nqr investigation of crystal structure peculiarities of layered pbₓ₋₁cdₓl₂ semiconductors
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
publishDate 2008
topic_facet Characterization and properties
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/134552
citation_txt NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbx-1CdxI2 semiconductors // Yu.P. Gnatenko, I.A. Beinik, A.I. Barabash, I.G. Vertegel, E.D. Chesnokov, A.I. Ovcharenko, L.S. Ivanova // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 2. — С. 175-177. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.
series Functional Materials
work_keys_str_mv AT gnatenkoyup nqrinvestigationofcrystalstructurepeculiaritiesoflayeredpbx1cdxl2semiconductors
AT beinikia nqrinvestigationofcrystalstructurepeculiaritiesoflayeredpbx1cdxl2semiconductors
AT barabashai nqrinvestigationofcrystalstructurepeculiaritiesoflayeredpbx1cdxl2semiconductors
AT vertegelig nqrinvestigationofcrystalstructurepeculiaritiesoflayeredpbx1cdxl2semiconductors
AT chesnokoved nqrinvestigationofcrystalstructurepeculiaritiesoflayeredpbx1cdxl2semiconductors
AT ovcharenkoai nqrinvestigationofcrystalstructurepeculiaritiesoflayeredpbx1cdxl2semiconductors
AT ivanovals nqrinvestigationofcrystalstructurepeculiaritiesoflayeredpbx1cdxl2semiconductors
first_indexed 2023-10-18T21:08:31Z
last_indexed 2023-10-18T21:08:31Z
_version_ 1796152033011564544