HgCrCdSe as an element of new heterostructure HgCrCdSe/HgMnTe
By using the EPR method we show that the introduction of the fourth component as the cadmium (Cd) into the solid solution CrₓHg₁₋ₓSe allows for increasing the transition temperature of magnetic ordering in this compound. The resistance, magnetoresistance, and current-voltage characteristics of new h...
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автори: | Bekirov, B., Ivanchenko, I., Popenko, N., Tkach, V. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2012
|
Назва видання: | Functional Materials |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135327 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | HgCrCdSe as an element of new heterostructure HgCrCdSe/HgMnTe / B. Bekirov, I. Ivanchenko, N. Popenko, V. Tkach // Functional Materials. — 2012. — Т. 19, № 3. — С. 319-324. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Features of spin dynamics in HgCrCdSe and HgCrSe crystals in the vicinity of phase transitions
за авторством: Bekirov, B.E., та інші
Опубліковано: (2018) -
Features of spin dynamics in HgCrCdSe and HgCrSe crystals in the vicinity of phase transitions
за авторством: B. E. Bekirov, та інші
Опубліковано: (2018) -
Interaction of HNO₃-HI-citric acid aqueous solutions with CdTe, Zn₀.₀₄Cd₀.₉₆Te, Zn₀.₁Cd₀.₉Te and Cd₀.₂Hg₀.₈Te semiconductors
за авторством: Hvozdiyevskyi, Ye.Ye., та інші
Опубліковано: (2018) -
The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009) -
Galvanomagnetic phenomena in HgMnTe and HgCdMnTe single crystals
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)