Effect of ZnGeP₂ annealing in Zn vapor on the laser spectrum

The work is devoted to experimental investigation of the band structure, deep local centers and complexes as well as of generation/recombination processes in the ZnGeP₂ semiconductor crystal. The crystals grown by Bridgeman technique, annealed in Zn vapor and unannealed were studied. The dynamics o...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2005
Автори: Patskun, I.I., Rybalko, A.V.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
Назва видання:Functional Materials
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135337
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Effect of ZnGeP₂ annealing in Zn vapor on the laser spectrum / I.I. Patskun, A.V. Rybalko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 235-239. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine