Устройства гарантированного питания с полупроводниковыми преобразователями
Описаны схемные построения устройств гарантированного питания (УГП) с использованием трехуровневых ШИП и трехуровневых АИН. Строятся УГП путем реализации двух каналов поступления электрической энергии на шины гарантированного питания. Показано, что введение в состав УГП трехуровневых ШИП и АИН позво...
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут електродинаміки НАН України
2014
|
| Назва видання: | Технічна електродинаміка |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135702 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Устройства гарантированного питания с полупроводниковыми преобразователями / О.Н. Юрченко, А.Э. Гречко // Технічна електродинаміка. — 2014. — № 5. — С. 98-100. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Описаны схемные построения устройств гарантированного питания (УГП) с использованием трехуровневых ШИП и трехуровневых АИН. Строятся УГП путем реализации двух каналов поступления электрической энергии на шины гарантированного питания. Показано, что введение в состав УГП трехуровневых ШИП и АИН позволяет расширить функциональные возможности устройств вследствие улучшения качества выходных напряжений и их энергетических показателей. Проведен анализ построения УГП более рационального с точки зрения улучшения их энергетических и массогабаритных показателей за счет исключения в канале резервного питания дополнительного преобразования энергии постоянного тока в постоянный. Введение в состав УГП трехуровневого АИН снижает практически в два раза рабочее напряжение на силовых транзисторах. |
|---|