Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃
The effects and feasibility of metal site doping of the tetragonal diamagnetic insulator FeGa₃ by Fe/Co, Fe/Mn and Co/Ni substitution were investigated by X-ray, electron probe microanalysis, electrical resistivity, specific heat and magnetic susceptibility measurements. Substitution of Fe by Co...
Збережено в:
| Видавець: | Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України
2013
|
| Назва видання: | Фізико-хімічна механіка матеріалів |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135826 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃ / B. Kotur, V. Babizhetskyy, E. Bauer, F. Kneidinger, A. Danner, L. Leber, H. Michor // Фізико-хімічна механіка матеріалів. — 2013. — Т. 49, № 2. — С. 69-75. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-135826 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1358262018-06-16T03:11:46Z Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃ Kotur, B. Babizhetskyy, V. Bauer, E. Kneidinger, F. Danner, A. Leber, L. Michor, H. The effects and feasibility of metal site doping of the tetragonal diamagnetic insulator FeGa₃ by Fe/Co, Fe/Mn and Co/Ni substitution were investigated by X-ray, electron probe microanalysis, electrical resistivity, specific heat and magnetic susceptibility measurements. Substitution of Fe by Co in FeGa₃ does not change its structure type and preserves the structure of the binary parent compound (FeGa₃), whereas the solubility of Mn in the FeGa₃ structure type is limited to 3 at.% and a finite solubility of Ni in CoGa₃ is not detected. Методами рентгенівського, мікрорентгеноспектрального аналізу, дослідження електроопору, питомої теплоємності і магнетної сприйнятливості вивчено можливість та вплив легування Fe/Co, Fe/Mn і Co/Ni у положеннях атомів металу в тетрагональній структурі діамагнетного ізолятора FeGa₃. Заміщення атомів Fe на Co у сполуці FeGa₃ не змінює її кристалічну структуру. Розчинність Mn у FeGa₃ не перевищує 3 at.%, а розчинність Ni у CoGa₃ не виявлено. Методами рентгеновского, микрорентгеноспектрального анализа, исследования электросопротивления, удельной теплоемкости и магнитной восприимчивости исследована возможность и влияние легирования Fe/Co, Fe/Mn и Co/Ni в положениях атомов металла в тетрагональной структуре диамагнитного изолятора FeGa₃. Замещение атомов Fe на Co в соединении FeGa₃ не изменяет ее кристаллическую структуру. Растворимость Mn в FeGa₃ не превышает 3 at.%, а растворимость Ni в CoGa₃ не выявлено. 2013 Article Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃ / B. Kotur, V. Babizhetskyy, E. Bauer, F. Kneidinger, A. Danner, L. Leber, H. Michor // Фізико-хімічна механіка матеріалів. — 2013. — Т. 49, № 2. — С. 69-75. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. 0430-6252 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135826 en Фізико-хімічна механіка матеріалів Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| description |
The effects and feasibility of metal site doping of the tetragonal diamagnetic insulator
FeGa₃ by Fe/Co, Fe/Mn and Co/Ni substitution were investigated by X-ray, electron probe
microanalysis, electrical resistivity, specific heat and magnetic susceptibility measurements.
Substitution of Fe by Co in FeGa₃ does not change its structure type and preserves the
structure of the binary parent compound (FeGa₃), whereas the solubility of Mn in the FeGa₃
structure type is limited to 3 at.% and a finite solubility of Ni in CoGa₃ is not detected. |
| format |
Article |
| author |
Kotur, B. Babizhetskyy, V. Bauer, E. Kneidinger, F. Danner, A. Leber, L. Michor, H. |
| spellingShingle |
Kotur, B. Babizhetskyy, V. Bauer, E. Kneidinger, F. Danner, A. Leber, L. Michor, H. Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃ Фізико-хімічна механіка матеріалів |
| author_facet |
Kotur, B. Babizhetskyy, V. Bauer, E. Kneidinger, F. Danner, A. Leber, L. Michor, H. |
| author_sort |
Kotur, B. |
| title |
Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃ |
| title_short |
Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃ |
| title_full |
Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃ |
| title_fullStr |
Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃ |
| title_full_unstemmed |
Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃ |
| title_sort |
metal site doping in the narrow-gap semiconductor fega₃ |
| publisher |
Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України |
| publishDate |
2013 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135826 |
| citation_txt |
Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃ / B. Kotur, V. Babizhetskyy, E. Bauer, F. Kneidinger, A. Danner, L. Leber, H. Michor // Фізико-хімічна механіка матеріалів. — 2013. — Т. 49, № 2. — С. 69-75. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
| series |
Фізико-хімічна механіка матеріалів |
| work_keys_str_mv |
AT koturb metalsitedopinginthenarrowgapsemiconductorfega3 AT babizhetskyyv metalsitedopinginthenarrowgapsemiconductorfega3 AT bauere metalsitedopinginthenarrowgapsemiconductorfega3 AT kneidingerf metalsitedopinginthenarrowgapsemiconductorfega3 AT dannera metalsitedopinginthenarrowgapsemiconductorfega3 AT leberl metalsitedopinginthenarrowgapsemiconductorfega3 AT michorh metalsitedopinginthenarrowgapsemiconductorfega3 |
| first_indexed |
2023-10-18T21:13:13Z |
| last_indexed |
2023-10-18T21:13:13Z |
| _version_ |
1796152242010587136 |