Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃

• Видавець: Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України
• Дата: 2013
• Автори: Kotur, B., Babizhetskyy, V., Bauer, E., Kneidinger, F., Danner, A., Leber, L., Michor, H.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України 2013
• Назва видання: Фізико-хімічна механіка матеріалів
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135826
• Цитувати: Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃ / B. Kotur, V. Babizhetskyy, E. Bauer, F. Kneidinger, A. Danner, L. Leber, H. Michor // Фізико-хімічна механіка матеріалів. — 2013. — Т. 49, № 2. — С. 69-75. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

The effects and feasibility of metal site doping of the tetragonal diamagnetic insulator FeGa₃ by Fe/Co, Fe/Mn and Co/Ni substitution were investigated by X-ray, electron probe microanalysis, electrical resistivity, specific heat and magnetic susceptibility measurements. Substitution of Fe by Co...