Sі–V центр в монокристаллах алмаза, выращенных в системах на основе магния
В ростовой системе на основе Mg–C при p ≤ 8,2 ГПа и Т » 1800–2000 °C выращены структурно совершенные монокристаллы алмаза типа IIa + IIb и исследованы особенности роста алмаза на затравке. Методом фотолюминесцентной спектроскопии в выращенных кристаллах установлено наличие примесного центра кремн...
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автори: | , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
2012
|
Назва видання: | Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136003 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Sі–V центр в монокристаллах алмаза, выращенных в системах на основе магния / Т.В. Коваленко, С.А. Ивахненко, А.Н. Катруша, В.В. Лысаковский // Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения: Сб. науч. тр. — К.: ІНМ ім. В.М. Бакуля НАН України, 2012. — Вип. 15. — С. 268-271. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | В ростовой системе на основе Mg–C при p ≤ 8,2 ГПа и Т » 1800–2000 °C выращены
структурно совершенные монокристаллы алмаза типа IIa + IIb и исследованы особенности
роста алмаза на затравке. Методом фотолюминесцентной спектроскопии в выращенных
кристаллах установлено наличие примесного центра кремния (S–V), рассмотрены причины
его возникновения и предложена структурная модель этого примесного дефекта. |
---|