Sі–V центр в монокристаллах алмаза, выращенных в системах на основе магния

В ростовой системе на основе Mg–C при p ≤ 8,2 ГПа и Т » 1800–2000 °C выращены структурно совершенные монокристаллы алмаза типа IIa + IIb и исследованы особенности роста алмаза на затравке. Методом фотолюминесцентной спектроскопии в выращенных кристаллах установлено наличие примесного центра кремн...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2012
Автори: Коваленко, Т.В., Ивахненко, С.А., Катруша, А.Н., Лысаковский, В.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2012
Назва видання:Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136003
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Sі–V центр в монокристаллах алмаза, выращенных в системах на основе магния / Т.В. Коваленко, С.А. Ивахненко, А.Н. Катруша, В.В. Лысаковский // Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения: Сб. науч. тр. — К.: ІНМ ім. В.М. Бакуля НАН України, 2012. — Вип. 15. — С. 268-271. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:В ростовой системе на основе Mg–C при p ≤ 8,2 ГПа и Т » 1800–2000 °C выращены структурно совершенные монокристаллы алмаза типа IIa + IIb и исследованы особенности роста алмаза на затравке. Методом фотолюминесцентной спектроскопии в выращенных кристаллах установлено наличие примесного центра кремния (S–V), рассмотрены причины его возникновения и предложена структурная модель этого примесного дефекта.