Потрійна система Cr–Ga–Si при 870 K
С помощью рентгеновского фазового и структурного, а также металлографического анализов построено изотермическое сечение диаграммы состояния тройной системы Cr–Ga–Si при 870 K в полном концентрационном интервале. При температуре исследования тернарные соединения не образуются. Установлено существован...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України
2010
|
| Назва видання: | Фізико-хімічна механіка матеріалів |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136109 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Потрійна система Cr–Ga–Si при 870 K / П.Я. Лютий, Я.О. Токайчук, А.О. Федорчук // Фізико-хімічна механіка матеріалів. — 2010. — Т. 46, № 4. — С. 53-59. — Бібліогр.: 29 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | С помощью рентгеновского фазового и структурного, а также металлографического анализов построено изотермическое сечение диаграммы состояния тройной системы Cr–Ga–Si при 870 K в полном концентрационном интервале. При температуре исследования тернарные соединения не образуются. Установлено существование и прецизионно определена область гомогенности твердого раствора замещения Cr₃Si₁–xGax (x = 0–0,357) по результатам уточнения кристаллографических параметров методом Ритвельда (структурный тип Cr₃Si, символ Пирсона cP8, пространственная группа 3 Pmn , a = 4,556–4,5844(7) Ǻ, RB = 0,0353, Rp = 0,009, Rwp = 0,014, χ² = 3,68) и металлографического анализа. |
|---|