2025-02-23T12:33:52-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-136151%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T12:33:52-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-136151%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T12:33:52-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T12:33:52-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций
Описана температурная зависимость концентрации электронов в облученных γ-квантами ⁶⁰Со кристаллах n-типа кремния, связанная с перезарядкой дважды и отрицательно заряженной дивакансии в процессе ее конфигурационной перестройки из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дистор...
Saved in:
Main Author: | |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2017
|
Series: | Вопросы атомной науки и техники |
Subjects: | |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136151 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Summary: | Описана температурная зависимость концентрации электронов в облученных γ-квантами ⁶⁰Со кристаллах n-типа кремния, связанная с перезарядкой дважды и отрицательно заряженной дивакансии в процессе ее конфигурационной перестройки из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией. Показано, что экспериментальное наблюдение обобщенного уровня Еₜ-0,23 эВ дивакансии возможно только в процессе ее конфигурационной перестройки. Экспериментально наблюдалось, что концентрация V₂² с уровнем Еₜ-0,261 эВ определяется не только видом и дозой ядерного излучения, но и зависит от уровня легирования кристаллов кремния. Определена скорость конфигурационной перестройки дивакансии из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией как функция энергии и температуры ее перезарядки. Обнаружено, что ультразвуковая обработка облученных γ-квантами образцов n-Si усиливает миграцию межузельных атомов (Сᵢ), разрушая радиационные дефекты (Pₛ-Cᵢ), и уменьшает вероятность конфигурационной перестройки дивакансии из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией. |
---|