2025-02-23T12:59:54-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-136151%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T12:59:54-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-136151%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T12:59:54-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T12:59:54-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций
Описана температурная зависимость концентрации электронов в облученных γ-квантами ⁶⁰Со кристаллах n-типа кремния, связанная с перезарядкой дважды и отрицательно заряженной дивакансии в процессе ее конфигурационной перестройки из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дистор...
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2017
|
| Series: | Вопросы атомной науки и техники |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136151 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| id |
irk-123456789-136151 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1361512018-06-17T03:04:21Z Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций Долголенко, А.П. Ядерная физика и элементарные частицы Описана температурная зависимость концентрации электронов в облученных γ-квантами ⁶⁰Со кристаллах n-типа кремния, связанная с перезарядкой дважды и отрицательно заряженной дивакансии в процессе ее конфигурационной перестройки из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией. Показано, что экспериментальное наблюдение обобщенного уровня Еₜ-0,23 эВ дивакансии возможно только в процессе ее конфигурационной перестройки. Экспериментально наблюдалось, что концентрация V₂² с уровнем Еₜ-0,261 эВ определяется не только видом и дозой ядерного излучения, но и зависит от уровня легирования кристаллов кремния. Определена скорость конфигурационной перестройки дивакансии из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией как функция энергии и температуры ее перезарядки. Обнаружено, что ультразвуковая обработка облученных γ-квантами образцов n-Si усиливает миграцию межузельных атомов (Сᵢ), разрушая радиационные дефекты (Pₛ-Cᵢ), и уменьшает вероятность конфигурационной перестройки дивакансии из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией. Описана температурна залежність концентрації електронів у опромінених γ-квантами ⁶⁰Co кристалах n-типу кремнію, пов'язана з перезарядкою двічі і негативно зарядженої дивакансії в процесі її конфігураційної перебудови з однієї конфігурації з більшою дісторсией в конфігурацію з меншою дісторсией. Показано, що експериментальне спостереження узагальненого рівня Еₜ-0,23 еВ дивакансії можливо тільки в процесі її конфігураційної перебудови. Експериментально спостерігалося, що концентрація V₂² з рівнем Еₜ-0,261 еВ визначається не тільки видом і дозою ядерного випромінювання, але і залежить від рівня легування кристалів кремнію. Визначено швидкість конфігураційної перебудови дивакансії з однієї конфігурації з більшою дісторсией в конфігурацію з меншою дісторсией як функція енергії і температури її перезарядки. Виявлено, що ультразвукова обробка опромінених γ-квантами зразків n-Si посилює міграцію межузельних атомів (Сᵢ), руйнуючи радіаційні дефекти (Pₛ-Сᵢ), але зменшує ймовірність конфігураційної перебудови дивакансії з однієї конфігурації з більшою дісторсией в конфігурацію з меншою дісторсией. The temperature dependence of the electron density in the crystals of n-type silicon irradiated γ-rays ⁶⁰Co associated with double and negatively charged divacancy in the process of restructuring of a configuration with more distortion in the configuration with less distortion was described. The experimental observation of a generalized level Eₜ-0.23 eV divacancy is only possible in the process of restructuring its configuration was shown. Experimentally observed, that the concentration of the level V₂² Eₜ-0.261 eV determined by not only the type and dose of nuclear radiation, but also depends on the level of doping of silicon crystals. In γ-rays irradiated samples nSi the speed of adjustment divacancy from configuration with more distortion in the configuration with less distortion is determined as a function of energy and its recharge temperature. Ultrasonic treatment of n-type silicon crystals irradiated γ-rays ⁶⁰Co enhances the migration of interstitial atoms (Сᵢ), destroying radiation defects (Pₛ-Сᵢ), but also reduces the likelihood of divacancies configuration adjustment from one configuration with a greater distortion in configuration with less distortion was found. 2017 Article Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 4. — С. 21-27. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136151 621.315.592.3:546.28:539.12.04 ru Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Ядерная физика и элементарные частицы Ядерная физика и элементарные частицы |
| spellingShingle |
Ядерная физика и элементарные частицы Ядерная физика и элементарные частицы Долголенко, А.П. Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций Вопросы атомной науки и техники |
| description |
Описана температурная зависимость концентрации электронов в облученных γ-квантами ⁶⁰Со кристаллах n-типа кремния, связанная с перезарядкой дважды и отрицательно заряженной дивакансии в процессе ее конфигурационной перестройки из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией. Показано, что экспериментальное наблюдение обобщенного уровня Еₜ-0,23 эВ дивакансии возможно только в процессе ее конфигурационной перестройки. Экспериментально наблюдалось, что концентрация V₂² с уровнем Еₜ-0,261 эВ определяется не только видом и дозой ядерного излучения, но и зависит от уровня легирования кристаллов кремния. Определена скорость конфигурационной перестройки дивакансии из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией как функция энергии и температуры ее перезарядки. Обнаружено, что ультразвуковая обработка облученных γ-квантами образцов n-Si усиливает миграцию межузельных атомов (Сᵢ), разрушая радиационные дефекты (Pₛ-Cᵢ), и уменьшает вероятность конфигурационной перестройки дивакансии из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией. |
| format |
Article |
| author |
Долголенко, А.П. |
| author_facet |
Долголенко, А.П. |
| author_sort |
Долголенко, А.П. |
| title |
Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций |
| title_short |
Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций |
| title_full |
Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций |
| title_fullStr |
Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций |
| title_full_unstemmed |
Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций |
| title_sort |
конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| publishDate |
2017 |
| topic_facet |
Ядерная физика и элементарные частицы |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136151 |
| citation_txt |
Конфигурационная перестройка дивакансии под влиянием ультразвуковых стимуляций / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 4. — С. 21-27. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| series |
Вопросы атомной науки и техники |
| work_keys_str_mv |
AT dolgolenkoap konfiguracionnaâperestrojkadivakansiipodvliâniemulʹtrazvukovyhstimulâcij |
| first_indexed |
2023-10-18T21:09:16Z |
| last_indexed |
2023-10-18T21:09:16Z |
| _version_ |
1796152059706212352 |