Katrunov, K., Galchinetskii, L., Grinyov, B., Starzhinskiy, N., Bendeberya, G., & Bondarenko, E. (2008). Effect of technology parameters on the quality of nZnSe(X)/Ni Schottky diodes. НТК «Інститут монокристалів» НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Katrunov, K.A, L.P Galchinetskii, B.V Grinyov, N.G Starzhinskiy, G.N Bendeberya, und E.A Bondarenko. Effect of Technology Parameters on the Quality of NZnSe(X)/Ni Schottky Diodes. НТК «Інститут монокристалів» НАН України, 2008.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Katrunov, K.A, et al. Effect of Technology Parameters on the Quality of NZnSe(X)/Ni Schottky Diodes. НТК «Інститут монокристалів» НАН України, 2008.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.