Получение и исследование высокочистого моно- и поликристаллического гафния

• Видавець: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
• Дата: 2018
• Автори: Кожевников, О.Е., Пилипенко, Н.Н., Булатов, А.С., Вьюгов, П.Н., Клочко, В.С., Корниец, А.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2018
• Назва видання: Вопросы атомной науки и техники
• Теми: Чистые материалы и вакуумные технологии
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/137009
• Цитувати: Получение и исследование высокочистого моно- и поликристаллического гафния / О.Е. Кожевников, Н.Н. Пилипенко, А.С. Булатов, П.Н. Вьюгов, В.С. Клочко, А.В. Корниец // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 1. — С. 54-61. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Разработана комплексная методика получения высокочистого поликристаллического гафния с размером зерна, достаточным для огранки ориентированного полноразмерного монокристалла. Проведены структурные и низкотемпературные ультразвуковые исследования моно- и поликристаллических образцов в диапазоне 78…300 К. По данным скорости распространения ультразвуковых волн частотой 50 МГц определены независимые адиабатические константы тензора упругости с₁₁ и с₃₃ монокристалла гафния. Исследовано влияние структурного совершенства кристалла и примесной чистоты на величину констант. Показано, что резонансные и релаксационные особенности в поведении коэффициента поглощения ультразвука в моно- и поликристаллическом гафнии обусловлены дислокациями.